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Cette nouvelle mémoire est le premier dispositif BiCS 48 couches 256 Gbits (32 Go) au monde, et s’appuie également sur une technologie TLC (Triple Layer Cell, ou cellule triple niveau) à 3 bits par cellule. Les livraisons d’échantillons commenceront en septembre.

La FLASH BiCS est basée sur un processus de pointe d’empilage sur 48 couches, qui surpasse en termes de capacité, la mémoire Flash NAND bidimensionnelle classique, tout en améliorant l’endurance et la fiabilité en lecture/écriture, et en accélérant les écritures. Le nouveau dispositif 256 Gbits est adapté à différentes applications, notamment les disques SSD grand-public, les smartphones, les tablettes et les cartes mémoire, ou encore les disques SSD d’entreprise pour data centers (centres de calcul).

Depuis l’annonce d’une technologie FLASH BiCS prototype en juin 2007, Toshiba a poursuivi ses développements, pour optimiser cette technologie en vue d’une production en masse. Afin de renforcer sa croissance sur le marché des mémoires flash en 2016 et au-delà, Toshiba milite activement en faveur du passage à la BiCS FLASH, en déroulant une offre qui fait la part belle aux applications grande-capacité, comme les disques SSD.

Toshiba est engagé depuis longtemps dans le secteur des mémoires flash, et se prépare actuellement à la production en masse de BiCS FLASH dans un nouvel atelier Fab2 situé au sein de l’usine de Yokkaichi, son site de production de mémoires flash NAND. Fab2 sera prêt au premier semestre 2016.

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