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Nouveaux produits

Toshiba développe la première mémoire flash NAND à 16 puces empilées au monde

Publication: Août 2015

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Toshiba Corporation a annoncé aujourd’hui le développement de la première mémoire Flash NAND à 16 puces empilées (maxi) au monde utilisant la technologie TSV (Through Silicon Via, ou traversées silicium)...
 

Le prototype sera présenté au Flash Memory Summit 2015, qui se tiendra du 11 au 13 août, à Santa Clara aux Etats-Unis.

Jusqu’ici les mémoires flash NAND empilées étaient interconnectées par " wire bonding" (liaisons à fil classiques) à l’intérieur d’un boîtier. Au lieu de cela, la technologie TSV fait appel à des électrodes verticales et à des vias à travers les puces de silicium pour la connexion. Ceci autorise des entrées-sorties très rapides, tout en réduisant la consommation.

La technologie TSV de Toshiba permet d’obtenir un débit d’E/S supérieure à 1 Gbits/s, soit plus que n’importe quelle autre mémoire flash NAND basse tension : 1.8V pour les circuits du coeur et 1.2V pour les circuits E/S, et environ 50% de consommation en moins [2] pour les opérations d’écriture et de lecture, et les transferts E/S de données.

Cette nouvelle mémoire flash NAND constitue une solution idéale au niveau faible latence, bande passante et rapport IOPS/Watt élevé, pour les applications de stockage flash, notamment les disques SSD haut-de-gamme d’entreprise.

Une partie de cette technologie appliquée a été développée par l’organisation NEDO (New Energy and Industrial Technology Development Organization, ou organisation pour le développement des nouvelles technologie et des énergies nouvelles).

Spécifications générales du prototype

- Type de boîtier : NAND x8 double BGA-152

- Capacité de stockage / Go : 128 - 256

- Nombre de piles : 8 - 16

- Dimensions extérieures en mm : Longueur : 14 - 14, Largeur : 18 - 18, Hauteur : 1.35 - 1.90

- Interface : Toggle (bascule) DDR

http://www.toshiba.com/

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