Le prototype sera présenté au Flash Memory Summit 2015, qui se tiendra du 11 au 13 août, à Santa Clara aux Etats-Unis.
Jusqu’ici les mémoires flash NAND empilées étaient interconnectées par " wire bonding" (liaisons à fil classiques) à l’intérieur d’un boîtier. Au lieu de cela, la technologie TSV fait appel à des électrodes verticales et à des vias à travers les puces de silicium pour la connexion. Ceci autorise des entrées-sorties très rapides, tout en réduisant la consommation.
La technologie TSV de Toshiba permet d’obtenir un débit d’E/S supérieure à 1 Gbits/s, soit plus que n’importe quelle autre mémoire flash NAND basse tension : 1.8V pour les circuits du coeur et 1.2V pour les circuits E/S, et environ 50% de consommation en moins [2] pour les opérations d’écriture et de lecture, et les transferts E/S de données.
Cette nouvelle mémoire flash NAND constitue une solution idéale au niveau faible latence, bande passante et rapport IOPS/Watt élevé, pour les applications de stockage flash, notamment les disques SSD haut-de-gamme d’entreprise.
Une partie de cette technologie appliquée a été développée par l’organisation NEDO (New Energy and Industrial Technology Development Organization, ou organisation pour le développement des nouvelles technologie et des énergies nouvelles).
Type de boîtier : NAND x8 double BGA-152
Capacité de stockage / Go : 128 - 256
Nombre de piles : 8 - 16
Dimensions extérieures en mm : Longueur : 14 - 14, Largeur : 18 - 18, Hauteur : 1.35 - 1.90
Interface : Toggle (bascule) DDR