Electronique Mag - Le journal de l'électronique.

Integrated Device Technology, a présenté aujourd’hui deux nouveaux membres de sa famille en pleine croissance d’atténuateurs VVA (Variable Voltage Attenuator, ou atténuateur à tension variable) RF, étendant ainsi la couverture en fréquence d’IDT à une plage allant de 1 MHz à 6 GHz. Comme les autres membres de la famille, les dispositifs F2255 et F2258 offrent les plus faibles pertes d’insertion et la linéarité la plus élevée du marché.

Les atténuateurs VVA IDT permettent de fournir une commande analogique aux applications nécessitant une atténuation très précise. Ces deux nouveaux dispositifs se présentent en boîtier compact TQFN 16 broches de 3 x 3 mm. Ils ne présentent qu’environ la moitié des pertes d’insertion des solutions concurrentes, un niveau de performance IP3 amélioré d’un facteur 1000 (30dB) par rapport aux dispositifs concurrents GaAs ( arsenure de gallium), et ils présentent une caractéristique d’atténuation linéaire (en dB) sur toute la plage de tension de commande. Leurs faibles pertes d’insertion réduisent les pertes le long de la chaine RF, tandis que leur linéarité élevée améliore les débits de données système.

Ces tout nouveaux dispositifs sont compatibles avec les empreintes sur cartes habituelles, et ils sont parfaits pour les stations de base (2G, 3G et 4G), l’infrastructure hyperfréquence, la sécurité publique, les équipements de communication et de transmission de données sans-fil, le matériel de test automatique, les systèmes militaires, les radios JTRS, et les radios HF, VHF et UHF.

"Les produits RF à base silicium d’IDT fournissent des performances exceptionnelles, comparés aux solutions GaAs , avec dans le cas présent jusqu’à 30 dB d’amélioration de la linéarité", déclare Chris Stephens, Directeur Général de la division RF d’IDT. "Ces dispositifs sont les atténuateurs VVA offrant les plus faibles pertes d’insertion du marché, et présentant la caractéristique de commande d’atténuation la plus linéaire."

Grâce à leur technologie de semiconducteurs RF à base silicium, les atténuateurs IDT offrent une alternative robuste à l’ancienne technologie de semiconducteurs GaAs. La technologie silicium offre l’avantage d’un meilleur rendement RF, ainsi qu’une meilleure protection contre les ESD (Electro Static Discharge, ou décharges électrostatiques), de meilleurs niveaux MSL (Moisture Sensitivity Level , ou niveau de sensibilité à l’humidité), un rendement thermique amélioré, une consommation de courant inférieure, et la fiabilité éprouvée de la technologie silicium.

Si l’on compare le F2258 à son concurrent GaAs compatible au niveau brochage, le dispositif présente un IP3 d’entrée jusqu’à 65 dBm contre 35dBm, une pente d’atténuation maximum de 33 dB/Volt contre 53 dB/Volt, une perte de retour minimum jusqu’à 6000 MHz, 12.5 dB contre 7 dB, et une température opérationnelle maximum de 105°C contre 85°C. Le dispositif F2255 quant à lui, supporte une plage de fréquences descendant jusqu’à 1 MHz, et présente une pente d’atténuation maximum de 33 dB/Volt. Les deux dispositifs disposent de ports RF bidirectionnels, supportent une tension d’alimentation positive unique de 3V ou 5V, et fonctionnent dans la plage de températures allant de -40°C à +105°C.

http://www.idt.com/