Electronique Mag - Le journal de l'électronique.
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M/A-COM Technology Solutions Inc., fournisseur leader de semiconducteurs analogiques, RF, hyperfréquences et optiques, hautes-performances, vient d’annoncer aujourd’hui que des échantillons de son nouveau NPT2024, un transistor large-bande optimisé pour fonctionner du continu à 2.7 GHz grâce à la technologie GaN-sur Si (Nitrure de galium sur silicium) propriétaire de MACOM, étaient livrables dès aujourd’hui. Le NPT2024 fonctionne en mode CW, en mode pulsé ou en mode linéaire, et revendique des niveaux de puissance jusqu’à 200W.
Offrant aux utilisateurs une tension opérationnelle de 50V, un gain de 16 dB et un rendement de drain de 60% à 1500 MHz, ce transistor HEMT D-mode testé RF à 100%, est disponible en boîtier plastique standard avec bride à boulonner. Le NPT2024 est parfaitement adapté transmissions militaires, à la radio terrestre mobile, à l’avionique, aux infrastructures sans-fil, et aux applications ISM ou radar en bandes UHF/L.
" Les performances techniques du NPT2024 de MACOM complètent notre portefeuille GaN en pleine expansion, qui propose au marché un large éventail de solutions GaN, à la fois très performantes, avec un gain et un rendement élevés, et à prix abordable, " déclare Gary Lopes, Directeur Produit Senior chez MACOM.
Offrant des performances dignes de composants GaN-sur-SiC (Nitrure de galium sur carbure de silicium), avec des coûts de production estimés inférieurs à ceux de la technologie LDMOS actuelle, le GaN de 4ème génération (Gen4 GaN) est bien placé pour briser les dernières barrières techniques et commerciales s’opposant à l’adoption généralisée du GaN. Gen4 GaN fournit un rendement crête supérieur à 70% et un gain de 19 dB pour des signaux modulés à 2.7 GHz, ce qui est comparable aux technologies GaN-sur-SiC, et un rendement en croissance de plus de 10% par rapport à la technologie LDMOS. La technologie Gen4 GaN offre également une densité de puissance plus de quatre fois supérieure à celle de la technologie LDMOS.
