Electronique Mag - Le journal de l'électronique.
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Toshiba Electronics Europe étend sa gamme de MOSFET DTMOS IV 600V à diode HSD (High Speed Diode, ou diode rapide) destinés aux alimentations à haut rendement et aux commandes moteur "full bridge" ou "half-bridge". Le trr (Reverse Recovery Time, ou temps de reprise inverse) de ces HSD est quasi-insensible à la température, ce qui assure une commutation rapide sur une large plage de températures..
Le TK5P60W5 (ID = 4,5A et RDS(ON) =0,99 Ohm) est logé dans le plus petit boîtier de la série, un DPAK (TO-252), et offre un temps de reprise inverse de diode trr typique de 65 ns. La capacité d’entrée (Ciss) de 370 pF et la charge de grille QG de seulement 11.5 nC, favorisent une commutation à haut rendement.
Le nouveau TK62N60W5 (RDS(ON) = 0,045 Ohm) est le MOSFET le plus puissant de la série. Il se présente en boîtier 3 broches TO-247 et supporte un courant de sortie maximum ID = 61,8A. Son trr de diode typique est de 170 ns, sa Ciss est de 6500 pF et sa QG de 250 nC.
Les puces DTMOS IV-H sont produites en technologie Toshiba Deep Trench, qui garantit une faible résistance à l’état passant (RDS(ON)) aux températures élevées, par rapport aux MOSFET super-jonction conventionnels. Cette technologie offre également des pertes de commutation (EOSS) plus faibles que les technologies de génération précédente. La combinaison d’une plus faible augmentation de RDS(ON) aux températures élevées et d’un trr de diode inférieur, se traduit par un rendement plus élevé, tout en permettant aux concepteurs de minimiser les dimensions système.
Des échantillons de ces deux dispositifs sont disponibles dès maintenant. Le TK62N60W5 est déjà produit en série, tandis que le TK5P60W5 devrait entrer en production de série en octobre 2015.
