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GaN Systems, le premier fabricant de transistors de puissance au nitrure de gallium, vient d’annoncer sa nouvelle carte d’évaluation en demi-pont qui démontre les performances de ses semiconducteurs de puissance à enrichissement à base de GaN dans des circuits de puissance réels. La carte d’évaluation aux fonctionnalités complètes GS66508T-EVBHB se configure facilement dans toutes les topologies à base de demi-pont, y compris en modes élévateur et abaisseur de tension. La carte d’évaluation est livrée avec un guide de démarrage rapide pour être prête à fonctionner dans les minutes suivant son installation. La carte d’évaluation peut être utilisée en conversion synchrone en modes élévateur et abaisseur de tension, ainsi qu’en découpage pulsé pour évaluer les formes d’onde de transistor. Le kit comprend une documentation complète, y compris les codes produits des composants pour la nomenclature, le placement-routage et le contrôle thermique de la carte PCB, et une conception de référence de circuit de commande de grille qui est aussi utile aux ingénieurs systèmes pour leurs produits.

Conçue pour offrir aux ingénieurs électriciens un étage de puissance complet, la carte d’évaluation consiste en deux FET en GaN 650V, 30A GS66508T, des commandes de grille en demi-pont, une alimentation de commande de grille, et deux dissipateurs thermiques. Les transistors de haute puissance GS66508T sont basés sur la technologie propriétaire Island Technology® de GaN Systems et appartiennent à la famille de produits de 650V de dispositifs haute densité, qui atteignent des coefficients de conversion extrêmement élevés avec des vitesses de commutation élevées supérieures à of >100V/nS et des pertes thermiques ultra faibles. GaN Systems est la seule entreprise à avoir développé et produit une gamme complète de transistors de puissance à base de GaN avec des tensions nominales de 100V et 650V et des courants nominaux de 7A à 250A. La conception de puce Island Technology® de GaN Systems, associée à l’inductance ultra faible et au rendement thermique du boîtier GaNPX™, assure à leur FET à base de GaN une amélioration d’un facteur 45 des performances en terme de commutation et de conduction par rapport aux MOSFET et IGBT traditionnels en silicium.

Les transistors de puissance en GaN 30A/55mΩ GS66508T sont refroidis par le haut et présentent le quasi boîtier-puce GaNPX™ thermiquement efficace. Un rendement de conversion de puissance de 98.7% à 1,5kW est affiché dans la documentation du produit et peut-être reproduit dans le laboratoire du propriétaire.

La carte d’évaluation présente les emplacements des inductances et des condensateurs de puissance de sortie pour permettre aux utilisateurs de configurer la carte dans les modes de fonctionnement élévateur ou abaisseur de tension. L’accès à la température de jonction du transistor est possible grâce aux deux plots pour thermocouple et aux ports d’imagerie par caméra thermique. La tension d’alimentation en entrée doit être comprise entre 9VDC et 12VDC, avec un maximum absolu de 15V. Des régulateurs de tension embarqués produisent le +5V pour les circuits logiques et le +6.5V pour la commande de grille. Il existe trois modes de fonctionnement : le mode test pulsé ; le mode abaisseur de tension/ demi-pont standard et le mode élévateur de tension.

http://www.gansystems.com/