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Ce MOSFET 40V en boîtier DPAK+ est qualifié AEC-Q101 et présente une résistance à l’état passant[1] record de seulement 1.35 mΩ sous 10V.

Toshiba Electronics Europe (TEE) étend sa famille de MOSFET UMOS9, avec un nouveau MOSFET 40V canal-N en boîtier évolué DPAK+. Le nouveau TK1R4S04PB a obtenu la qualification AEC-Q101 et sa conception le destine aux applications automobiles de commande moteur pour les pompes à eau, les pompes à essence, les pompes à huile, les ventilateurs, les directions EPS (Electric Power Steering, ou direction à assistance électrique) ou encore les convertisseurs DC/DC.

Ce tout nouveau MOSFET présente une RDS(ON) = 1.35 mΩ maxi avec VGS = 10V, soit la plus faible valeur RDS(ON) de tous les MOSFET disponibles actuellement. Ceci est le fruit de la technologie de tranchée UMOS9, qui minimise RDS(ON) x A, et du boîtier DPAK+, qui réduit la résistance du boîtier par rapport à un conditionnement DPAK conventionnel.

Le boîtier DPAK+ est compatible avec les conceptions à base de DPAK standard, ne mesure que 6.5 x 9.5 mm, et dispose de la technologie "copper clip" (clip cuivre) qui remplace les connexions "bondwire" (fil collé) traditionnelles, par des clips en cuivre, qui offrent une grande surface de contact et qui sont montés directement sur la métallisation de la puce.

Ce MOSFET est également plus performant que les générations précédentes, au niveau CEM (compatibilité électromagnétique) et au niveau commutation.

Notes :

[1] Enquête Toshiba d’octobre 2015

http://www.toshiba.semicon-storage.com