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Toshiba Electronics Europe vient de présenter deux nouveaux MOSFET 2-in-1 : les SSM6L61NU et SSM6N61NU. Ces MOSFET, conditionnés en boîtier compact SOT-1118 (UDFN6), présentent une excellente dissipation thermique et une très faible résistance drain-source à l’état passant (RDS(ON) = 25 mΩ (typique), VGS = 4.5V). Ces chiffres en font des candidats parfaits pour servir de commutateurs de gestion d’énergie et de convertisseurs DC-DC, au sein d’un certain nombre d’appareils mobiles, notamment des smartphones et des tablettes. Les SSM6L61NU et SSM6N61NU peuvent également être utilisés dans les applications de gestion de batterie ou pour assurer la commutation de charge au sein d’applications avec interface USB Type-C.

Avec une résistance à l’état passant canal-N inédite sur le marché[1] de 25 mΩ, ces nouveaux MOSFET permettent de réduire les pertes au sein des alimentations tout en augmentant l’autonomie des appareils sur batterie. Le SSM6L61NU est un dispositif complémentaire, et le SSM6N61NU est un dispositif double canal-N. Utilisés dans des applications à interface USB Type-C, les SSM6L61NU et SSM6N61NU peuvent être placés entre le Vout (tension de sortie) du CI de gestion d’énergie, et le SoC (System on Chip, ou système sur puce), ou dans d’autres parties du circuit.

Un petit boîtier, de seulement 2 x 2 mm, améliore la dissipation thermique (PD = 1W), et réduit de 50% l’empreinte des MOSFET sur la carte, comparé aux dispositifs en boîtier PS-8.

[1] Comparé à un produit canal-N en boîtier UDFN6, selon enquête Toshiba (en date du novembre 2015).