Electronique Mag - Le journal de l'électronique.
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Littelfuse, Inc., leader mondial dans la protection des circuits électroniques, présentera le dernier-né de sa gamme croissante de semi-conducteurs de puissance, les diodes en carbure de silicium (SiC) Schottky série LFUSCD, au salon PCIM Europe (Power Conversion and Intelligent Motion) 2016, qui se déroulera du 10 au 12 mai 2016, hall 7, stand 140, Nuremberg Messe, Nuremberg, Allemagne.
Comparées aux diodes de puissance bipolaires au silicium standard, les diodes SiC Schottky série LFUSCD permettent aux concepteurs de réduire les pertes de commutation, s’adaptent à de larges plages de courants de crête sans emballement thermique et fonctionnent à des températures de jonction plus élevées, d’où une augmentation substantielle de l’efficacité du système et de sa robustesse.
La structure fusionnée du dispositif Schottky p-n (MPS) de la série LFUSCD lui confère une capacité accrue à supporter les pics de tension avec un courant de fuite réduit. Disponible dans des tensions nominales de 650V et 1200V avec des courants nominaux de 4A à 30A, elle convient parfaitement à un large éventail de secteurs dont les alimentations à découpage, les onduleurs solaires, les circuits de commande, les équipements de soudure et de découpe par plasma, et les bornes de recharge pour véhicules électriques.
La Correction du Facteur de Puissance (CFP)
Etage Buck ou Boost des convertisseurs (DC-DC) (Alim à découpages)
Diodes de roue libre dans les étages de redressement (alimentations à découpage, équipements solaires, UPS, équipements de pilotage industriel)
Rectification de sortie haute fréquence
“Nous sommes fiers de présenter notre ligne de diodes SiC Schottky comme composante de notre gamme croissante de semi-conducteurs de puissance,” explique Dr. Kevin Speer, directeur du développement pour la ligne technologie des semi-conducteurs de puissance. “Avec une des chutes de tension forward et une charge capacitive stockée des meilleures dans leur catégories, les diodes SiC Littelfuse permettront à nos clients d’optimiser l’efficacité de leurs conceptions tout en améliorant la robustesse et la fiabilité de leurs équipements.”
La charge capacitive stockée la meilleure de sa catégorie et un temps de recouvrement proche de zéro en font des solutions adéquates pour les commutations de courant à haute fréquence, garantissent des pertes de commutation négligeables et réduisent le stress sur le commutateur opposé.
La chute de tension forward la plus performante dans sa catégorie garantit de faibles pertes de conduction.
La température maximale de jonction de 175°C permet une plus grande souplesse de conception et des exigences de gestion thermique moins contraignantes.
La structure fusionnée du dispositif Schottky p-n (MPS) assure une capacité accrue à supporter les pics de tension et un courant de fuite extrêmement faible.
Les diodes SiC Schottky série LFUS sont disponibles en tubes sous forme de capsules TO-220 à deux broches et TO-247 à trois broches. Les demandes d’échantillons peuvent être formulées auprès des distributeurs agréés Littelfuse du monde entier. Pour consulter la liste des distributeurs Littelfuse, rendez-vous sur notre site http://www.Littelfuse.com
