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Toshiba Electronics Europe a dévoilé ses nouvelles diodes SBD (Schottky Barrier Diode, ou diode barrière de Schottky) basées sur la technologie carbure de silicium (SiC) de 2ème génération de la société. Ces diodes SBD offrent des densités de courant jusqu’à 50% plus élevées que les dispositifs de 1ère génération, et peuvent encaisser des pointes de courant direct beaucoup plus élevées.

L’utilisation de semiconducteurs SiC permet aux concepteurs d’améliorer le rendement, de réduire la dissipation thermique et de gagner de la place dans le cas de circuits à commutation rapide. Les dispositifs de puissance SiC offrent un fonctionnement stable sur une plage de température plus large que leurs équivalents silicium, même avec des tensions ou des courants élevés.

Avec son processus SiC de 2ème génération, Toshiba a pu réduire l’épaisseur de la puce pour développer des diodes SBD avec des densités de courant environ une fois et demie (x 1.5) supérieure à celles des dispositifs de 1ère génération. En outre, ces diodes SBD SiC de 2ème génération offrira des valeurs nominales de pointes de courant direct (IFSM)supérieures.

Les premiers produits de cette famille de 2ème génération seront des dispositifs 650V avec des courants nominaux de 4A (TRS4E65F), 6A (TRS6E65F), 8A (TRS8E65F), et 10A (TRS10E65F) en boîtiers TO-220 à 2 broches et TO-220 isolé à 2 broches, dénommés TRS.A65F. Ces diodes seront parfaites pour les circuits de conversion d’énergie à commutation rapide, notamment les circuits PFC (Power Factor Compensation, ou correction de facteur de phase), les inverteurs photovoltaïques et les alimentations UPS (Uninterruptible Power Supply, ou onduleurs). Les SBD SiC Toshiba peuvent aussi servir à améliorer le rendement des alimentations à découpage, en remplaçant les diodes silicium conventionnelles.