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ROHM a récemment annoncé le lancement d’un MOSFET SiC 1 700 V optimisé pour les applications industrielles, notamment les équipements de fabrication et les onduleurs haute tension universels.

Au cours des dernières années, la tendance à la conservation de l’énergie dans tous les domaines a fait grimper la demande en semiconducteurs de puissance à économie d’énergie, en particulier dans le secteur industriel (onduleurs universels, équipements de fabrication, etc.). Des MOSFET en silicium à tension de claquage élevée (au-dessus de 1 000 V) sont généralement employés dans la majorité des alimentations auxiliaires, qui sont utilisées pour fournir des tensions de commande à des circuits d’alimentation, des CI de contrôle et divers systèmes complémentaires. Ces MOSFET à haute tension souffrent cependant d’une importante perte de conduction (conduisant souvent à une génération excessive de chaleur) et présentent des problèmes liés à la zone de montage et au nombre de composants externes, ce qui rend difficile la réduction de la taille du système. ROHM a par conséquent développé des MOSFET SiC à faible perte et des CI de contrôle qui maximisent les performances tout en contribuant à la miniaturisation du produit final.

Le SCT2H12NZ fournit la tension de claquage élevée requise pour des alimentations auxiliaires au sein d’équipements industriels. La perte de conduction est réduite de 8x par rapport aux MOSFET en silicium conventionnels, garantissant ainsi une meilleure efficacité énergétique. Il est possible d’optimiser les performances et d’améliorer l’efficacité jusqu’à 6 % en l’associant au CI de contrôle d’onduleur AC/DC de ROHM, conçu spécifiquement pour le MOSFET SiC (BD7682FJ-LB). Cela permet également d’utiliser de plus petits composants périphériques, afin d’obtenir une miniaturisation plus élevée.

Principales caractéristiques

Optimisé pour les alimentations auxiliaires au sein d’équipements industriels : Par rapport aux MOSFET en silicium de 1 500 V utilisés au sein d’alimentations auxiliaires pour équipements industriels, le SCT2H12NZ offre une tension de claquage élevée (1700 V) avec une résistance à l’état passant 8x plus petite (1,15 Ù). La solution compacte TO-3PFM conserve en outre la ligne de fuite (distance mesurée le long de la surface du matériau isolant) requise par les équipements industriels. ROHM lance un type de montage en surface (TO268-2L) assurant lui aussi une ligne de fuite adaptée.

Évaluation facilitée grâce à la carte d’évaluation de ROHM pour appareils SiC : En tant que grand fabricant de semiconducteurs, ROHM propose une vaste gamme de CI optimisés pour une utilisation avec différents appareils SiC. ROHM lance également des kits et cartes d’évaluation permettant de commencer immédiatement l’évaluation et le développement. Un circuit à commande de grille pour l’évaluation du module SiC complet de ROHM ainsi qu’un module de snubber sont proposés en plus du modèle BD7682FJ-LB-EVK-402. Vous trouverez plus d’informations sur la page d’assistance dédiée de ROHM.

Applications

Alimentations auxiliaires pour équipements industriels à haute tension (par ex. 400 V AC), tels que les automates (robots) d’usine, les onduleurs photovoltaïques et industriels et les appareils de fabrication/d’essai.

Produits

http://www.rohm.com/