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Toshiba Electronics Europe vient d’étendre sa famille de MOSFET de puissance pour l’automobile, avec le TK1R5R04PB, premier dispositif utilisant son nouveau boîtier D2PAK+ à faible résistance. Alors que le D2PAK+ présente la même empreinte qu’un boîtier D2PAK (ou TO-263) classique, il offre une résistance de boîtier sensiblement plus faible. C’est grâce à sa broche source, qui est beaucoup plus large à proximité de la surface moulée, que celle d’un D2PAK classique.

Le TK1R5R04PB est donné pour 40V et 160A, et présente une résistance à l’état passant de 1.5 mÙ (VGS = 10V). Les valeurs nominales mini et maxi des tensions de seuil (Vth) sont respectivement de 2V et 3V.

Le tout dernier procédé Toshiba de fabrication de wafers, UMOS IX-H, est utilisé pour produire le TK1R5R04PB. Le procédé U-MOS IX-H présente une très bonne capacité d’élimination des ondulations de commutation et contribue à la réduction du bruit EMI (Electro Magnetic Interference, ou parasite électromagnétique) dans les applications.

Les applications cible de ce nouveau dispositif sont notamment les pompes, les ventilateurs, les convertisseurs DC-DC et les commutateurs de charge, pour l’automobile.

Le TK1R5R04PB sera conforme aux exigences de qualification de niveau automobile AEC-Q101.

http://toshiba.semicon-storage.com/