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Toshiba Electronics Europe vient de lancer de nouvelles mémoires flash NAND e•MMC™[1] et UFS embarquées, qui font appel à des contrôleurs intégrés améliorés pour offrir des vitesses de lecture et d’écriture sensiblement améliorées aux applications exigeantes.

Par opposition aux mémoires flash NAND “brutes”, les dispositifs e•MMC (Embedded Multimedia Card) et UFS (Universal Flash Storage) combinent mémoire flash et contrôleur dans un même boîtier. Cela permet de gagner de la place et de libérer les processeurs hôte de certaines fonctions de gestion mémoire majeures comme la gestion des blocs défectueux, la correction d’erreurs, le nivelage d’usure (wear levelling en anglais) ou la collecte de déchets (garbage collection en anglais). Par conséquent, les dispositifs e•MMC ou UFS sont plus faciles à intégrer dans des systèmes, que des CI mémoires autonomes associés à une interface flash NAND standard.

Les nouvelles mémoires e•MMC "Supreme+" Toshiba (JEDEC ver. 5.1) sont disponibles en versions 16 Go à 128 Go, et s’appuient sur la technologie Flash NAND MLC (multi-level cell, ou cellule multi-niveaux) 15 nm. Les vitesses de lecture et d’écriture séquentielles de 320 Mo/s et 180 Mo/s sont respectivement 2% et 20% plus élevées que celles des dispositifs Toshiba précédents[2]. En outre, les vitesses de lecture et d’écriture aléatoires sont de 100% à 140% plus rapides que celles des dispositifs précédents.

Alors que les mémoires e•MMC atteignent une limite théorique de 400 Mo/s avec une interface parallèle 8 bits, les mémoires UFS permettent des performances supérieures grâce à la signalisation différentielle rapide permise par l’interfaceM-PHY MIPI®[3]. Celle-ci leur permet d’atteindre une performance théorique de 1166 Mo/s, avec le support d’une interface HS-G3 M-PHY MIPI 2 voies.

Les nouveaux dispositifs UFS (JEDEC ver 2.1) sont aussi basés sur la technologie flash NAND MLC 15nm, et sont disponibles dans des capacités allant de 32 Go à 128 Go. Par rapport aux dispositifs précédents, les vitesses de lecture et d’écriture séquentielles de 850 Mo/s et 180 Mo/s respectivement, sont en amélioration d’environ 40% et 16%[2]. En outre, les performances en lecture et écriture aléatoires sont en progression de 120% et 80% respectivement.

Toshiba fabrique à la fois les mémoires flash et les contrôleurs déployés dans ses mémoires e.MMC et UFS. La société a également développé en interne le noyau analogique M-PHY 3.0 et le noyau numérique UniPro 1.6, qui sont intégrés au nouveau contrôleur UFS. Ainsi, le contrôleur est parfaitement adapté à la gestion de la mémoire flash cible, ce qui assure au dispositif des performances optimales.

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