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Toshiba Electronics Europe lance un nouveau MOSFET de puissance 100V 160A, avec une tension de seuil (Vth) resserrée par rapport aux dispositifs précédents. Une tension de seuil resserrée est une caractéristique très importante pour les applications de commutation, et le TK160F10N1L offre une tension Vth mini / maxi de 2.5V / 3.5V, contre 2V / 4V pour son prédécesseur.

Ce nouveau MOSFET est parfait pour les applications de commutation de puissance dans l’automobile. Dans ce secteur, sa tension Vth resserrée contribuera à réduire le temps-mort des montages demi-pont / pont en H / pont B6. C’est parce que la différence de Vth maxi entre le MOSFET "low-side" et le MOSFET "high-side" est plus petite.

Dans le cas d’applications avec des MOSFET connectés en parallèle, une tension Vth. plus serrée conduit à une commutation synchrone améliorée, parmi les MOSFET montés en parallèle. Par conséquent, les pertes de commutation seront distribuées de manière plus uniforme parmi tous les MOSFET. Si un transistor MOSFET simple s’allume plus tôt ou s’éteint plus tard que d’autres MOSFET montés en parallèle, les pertes de commutation se concentreront sur ce MOSFET simple..

Le tout dernier processus semiconducteur UMOS VIII-H de Toshiba est utilisé pour le TK160F10N1L. L’U-MOS VIII-H dispose d’excellentes capacités pour éliminer les ondulations de commutation, et peut contribuer à la réduction des parasites EMI (Electro Magnetic Interference, ou parasite électromagnétique). Les applications cible de ce nouveau MOSFET sont notamment les moteurs automobiles présents dans les systèmes 48V, les convertisseurs DC-DC, et les commutateurs de charge.

Le TK160F10N1L est fourni en boîtier TO-220SM(W), offre une résistance à l’état passant (RDS(ON)) de 2.4 mÙ maximum, et sera conforme aux exigences pour la qualification de niveau automobile, AEC-Q101.

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