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Nouveaux produits

Toshiba arrive à des valeurs ultra-faibles de RDS(ON)

Publication: Novembre 2016

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Dispositif 60V en boîtier CMS SOP Advance permettant aux concepteurs d’optimiser les performances, tout en réduisant la taille des alimentations et des commandes moteur...
 

Toshiba Electronics Europe vient encore d’étendre sa famille de MOSFET compacts haut-rendement à commutation rapide UMOS IX-H, avec un nouveau dispositif CMS offrant une valeur nominale maximum VDSS de 60V et un courant de drain maximum de 100A.

Le TPH1R306PL est fourni en boîtier SOP Advance pour montage en surface, et présente une résistance à l’état passant (RDS(ON) ) typique ultra-faible de seulement 1.0 mΩ (pour VGS = 10V). Etant donné que le processus U-MOS IX-H de Toshiba permet d’obtenir le meilleur compromis dans la catégorie entre RDS(ON) et capacitance de sortie - donc charge électrique en sortie - la valeur QOSS typique est de seulement 77.5 nC. Ceci permet aux concepteurs l’améliorer encore les performances et le rendement système, en augmentant les vitesses de commutation et en réduisant les pertes associées.

Comme avec les autres membres de la famille U-MOS IX-H, le MOSFET TPH1R306PL convient aux convertisseurs DC-DC (continu-continu) et aux circuits secondaires des alimentations AC-DC (alternatif-continu). En choisissant ce MOSFET, les concepteurs pourront améliorer sensiblement le rendement système, dans la mesure où QOSS est l’une des causes des pertes de redressement synchrone.

Grâce à sa capacité de courant impulsionnel (Idp) élevée pouvant atteindre 500A, et à sa température maximum de canal de 175ºC, ce nouveau MOSFET conviendra également aux commandes moteur d’appareils ménagers ou d’outillages sans-fil. Pour les applications nécessitant une dissipation thermique supérieure, il existe aussi une version TPW1R306PL à refroidissement double-face.

http://toshiba.semicon-storage.com/

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