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Littelfuse, Inc., leader mondial dans la protection des circuits électroniques vient d’annoncer une série d’échanges techniques en live de 15 minutes chacun baptisés “TechTalks LIVE !” et qui se dérouleront sur son stand (Hall 7, stand 335) à l’occasion du salon PCIM (Power Conversion and Intelligent Motion) Europe 2017. A l’issue de chacun de ces TechTalks, les visiteurs sont encouragés à poser des questions aux experts Littelfuse sur les sujets abordés.

Les “TechTalks LIVE !” aborderont une pluralité de problèmes liés aux semiconducteurs de puissance, et, en particulier, les défis associés à l’intégration de dispositifs au carbure de silicium (SiC) tels que les diodes Schottky et MOSFET dans des convertisseurs de puissance.

Ces TechTalks se dérouleront chaque jour du salon du mardi 16 mai au jeudi 18 mai :

 10:00 am : “Accélérez votre convertisseur de puissance grâce au SiC : Gate Drive (commande de grille) et Considérations sur la configuration des convertisseurs” La haute vitesse de commutation des MOFSET SiC offre la possibilité de concevoir des convertisseurs de puissance à haute efficacité et haute densité de puissance. Elle relève également le défi d’une plus grande variation dv/dt, di/dt laquelle induit de graves problèmes d’interférences électromagnétiques (EMI) dans la conception des circuits ainsi que des critères plus strictes pour les circuits de protection. Les circuits de commande et de puissance doivent être conçus avec soin pour faire face aux défis associés à la commutation à haute vitesse des MOSFET SiC.

 12:00 : “Performance CC des diodes Schottky SiC série PSR et leur utilisation dans la conception de systèmes de stockage d’énergie” Exploiter pleinement le potentiel de production d’énergie renouvelable dépend de l’efficacité des systèmes de stockage d’énergie tels que les batteries. Ces batteries et leurs systèmes de conversion associés doivent être protégés des risques de surintensité CC élevée. Des fusibles à haute vitesse avec une tension CC et une performance d’indice d’interruption accrue sont essentiels pour la protection de ces systèmes.

 2:00 pm : “Savoir quand passer au SiC” Bien que l’utilisation du SiC soit de plus en plus populaire, le silicium offre toujours de nombreux avantages, notamment un coût moindre, une plus grande maturité de processus et un éventail d’offres de produits plus étendu. Cet exposé propose des aperçus qui peuvent aider un concepteur à déterminer s’il faut passer à des dispositifs en SiC ou continuer d’utiliser des dispositifs au silicium pour ses applications. Les activités du stand Littelfuse sont organisées autour du thème “Vitesse. Agilité. Flexibilité et l’avenir des semi-conducteurs de puissance. Aujourd’hui.” En plus des TechTalks, les visiteurs du stand pourront voir plusieurs nouveaux dispositifs à base de SiC et autres produits associés à des semi-conducteurs de puissance :

 Les diodes Schottky en SiC, série GEN2, sont les premières d’une ligne de produits basés sur la plateforme de technologie créée grâce au partenariat entre Littelfuse et Monolith Semiconductor. Comparées aux diodes de puissance bipolaires au silicium standard, elles permettent aux concepteurs de circuits de réduire considérablement les pertes de commutation et permettent d’augmenter substantiellement l’efficacité et la robustesse des systèmes électroniques de puissance.

 Les visiteurs du stand auront un aperçu de la future gamme de MOSFET SiC 1200V actuellement en cours de fabrication dans une fonderie de CMOS de 150mm agréée automobile.

 Les fusibles hautes vitesses à corps carré POWR-SPEED® série PSR sont spécifiquement conçus pour protéger des dispositifs à semi-conducteurs de puissance tels que diodes, triacs, SCR, MOSFET, applications basées sur des IGBT et autres dispositifs à semi-conducteurs généralement conçus pour des équipements de conversion d’alimentation et conditionnement de puissance.

http://www.littelfuse.com/