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Littelfuse, Inc., le leader mondial dans la protection des circuits électroniques, a présenté aujourd’hui sa première série GEN2 de diodes Schottky au carbure de silicium (SiC) 1200 V, lors du salon Power Conversion and Intelligent Motion (PCIM) Europe 2017. Ces diodes SiC sont les premières d’une série de produits basés sur la plateforme technologique créée grâce à un partenariat avec Monolith Semiconductor. D’autres produits au carbure de silicium basés sur cette plateforme technologique, y compris les MOSFET SiC 1200 V, sont déjà dans en préparation et leur lancement est prévu dans un avenir proche.

Les diodes Schottky SiC GEN2 sont disponibles dans des étalonnages de 1200V pour des intensités de 5 A à 10 A dans des boîtiers TO 220-2L ou TO-252-2L. Comparées à des diodes de puissance bipolaires au silicium standard, elles permettent aux concepteurs de circuits de réduire considérablement les pertes de commutation et permettent une augmentation substantielle de l’efficacité et de la robustesse des systèmes d’électronique de puissance. Elles peuvent absorber d’importantes surintensités sans emballement thermique et fonctionner à des températures de jonction supérieures à celles de leurs homologues au silicium. Elles offrent également de meilleures charge capacitive stockée et chute de tension directe.

Les applications types pour les diodes Schottky SiC, série GEN2, comprennent la correction de facteur de puissance (PFC), les étages d’atténuation/amplification dans les convertisseurs CC-CC, des diodes de découplage dans des étages onduleurs (alimentations en mode commutation, solaire, UPS, commandes industrielles) et la rectification de sortie haute fréquence — partout là, où des améliorations dans l’efficacité, la fiabilité et la gestion thermique sont souhaitées. Les concepteurs et fabricants d’alimentations électriques industrielles, onduleurs solaires, commandes industrielles, matériel de soudage et de coupage plasma et stations de recharge EV/HEV les trouveront particulièrement utiles.

“La structure fusionnée du dispositif p-n Schottky (MPS) de ces nouvelles diodes Schottky au carbure de silicium offre aux concepteurs de circuits une capacité de résistance renforcée aux surintensités et un courant de fuite extrêmement faible,” affirme Michael Ketterer, responsable marketing des semi-conducteurs de puissance chez Littelfuse. “Comparées à des diodes de puissance au silicium traditionnelles, ces diodes au carbure de silicium de Schottky amplifient l’efficacité des convertisseurs et la densité de puissance tout en contribuant à réduire les coûts au niveau du système.”

Les diodes Schottky SiC, série GEN2, de Littelfuse offrent les avantages clefs suivants :

 La charge capacitive stockée la meilleure de sa catégorie et un courant inverse de recouvrement négligeable les rendent particulièrement bien adaptées pour la commutation de courant haute fréquence. Elles garantissent également des pertes de commutation négligeables et une tension réduite sur le commutateur opposé.

 Meilleure chute de tension directe dans sa catégorie garantissant de faibles pertes de conduction.

 Une température de jonction maximale de 175°C apporte une plus grande marge de conception et une gestion thermique plus souple.

Disponibilité

Les diodes SiC Schottky, série GEN2, sont disponibles en boîtiers TO-220-2L (emballés sous tubes par multiples de 1,000 unités) ou TO-252-2L (DPAK) (en rubans sur bobines par multiples de 2,500 unités). Les demandes d’échantillons peuvent être déposées auprès des distributeurs agréés Littelfuse du monde entier.

http://www.littelfuse.com/