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Nouveaux produits

Les nouveaux transistors MOSFET de puissance MDmesh V à 650 V de STMicroelectronics

Publication: Février 2009

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Affichent le rendement le plus élevé du marché et permettent d’économiser l’énergie perdue par les produits électroniques traditionnels...
 

Dans un monde où les consommateurs vérifient avant l’achat la consommation d’énergie d’équipements tels que les ordinateurs, l’électroménager ou les produits d’éclairage, aussi naturellement qu’ils le font pour la teneur en matière grasse des produits alimentaires, quelques Watts peuvent faire la différence et favoriser la vente d’un produit au détriment d’un autre qui restera en rayon. STMicroelectronics, l’un des leaders mondiaux en semi-conducteurs de puissance, permet à présent aux concepteurs de produits de récupérer ces « Watts gagnants » grâce à une nouvelle technologie conçue pour économiser l’énergie habituellement perdue dans l’étage d’alimentation des PC, téléviseurs, appareils électroménagers et autres produits grand public.

Proposée sous l’appellation MDmesh V, cette nouvelle technologie à 650 V marque la toute dernière évolution du processus de haute qualité développé par ST pour fabriquer des transistors MOSFET de puissance en tension élevée qui jouent un rôle important dans tout circuit d’alimentation. Habituellement utilisés en tant que commutateurs, les meilleurs transistors de puissance affichent une très basse résistance lors de leur mise en conduction, un paramètre appelé « résistance à l’état passant ». En obtenant la meilleure résistance à l’état passant de tous les produits comparables disponibles sur le marché par rapport à la taille du circuit, la technologie MDmesh V réduit les pertes d’alimentation et aide les concepteurs à créer des produits qui consomment moins d’énergie. La taille compacte du circuit permet également d’atteindre une densité de puissance élevée, ce qui constitue un paramètre capital pour les concepteurs d’alimentation et réduit considérablement les dimensions du produit final.

« La technologie MDmesh V va permettre de réaliser de nouvelles générations de produits électroniques qui offriront un rendement énergétique amélioré et des dimensions plus compactes », déclara Maurizio Giudice, Directeur du marketing de la division MOSFET de puissance de STMicroelectronics. « Parmi les autres domaines d’application de cette technologie figurent les énergies renouvelables, où elle permettra d’économiser les précieux Watts habituellement perdus dans les modules de contrôle de puissance de générateurs tels que des panneaux solaires ».

La première référence de cette nouvelle famille affiche une résistance à l’état passant d’environ 20 % inférieure à celle des MOSFET de précédente génération. La simple insertion de ce nouveau produit dans un circuit d’alimentation standard 2 kW permet de réduire la quantité d’énergie gaspillée de 3,6 W. Les autres produits prévus pour le début de l’année 2009 contribueront à réduire de la résistance à l’état passant, avec à la clé de nouvelles économies pour les concepteurs.

Les références disponibles [1] sont commercialisées à partir de 10 dollars par 1 000 unités. ST a également introduit une série de références associées [2] disponibles à partir de 6 dollars.

http://www.st.com

Notes

[1] STP42N65M5 : résistance à l’état passant de 0,079 Ohms, courant maximum de 33 A

[2] STx16N65M5 : résistance à l’état passant de 0, 299 Ohms, courant maximum de 12 A

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