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Littelfuse, Inc., leader mondial dans la protection des circuits électroniques, a conclu son programme pour le salon PCIM (Power Conversion and Intelligent Motion) Europe 2017. Le temps fort de ce salon a été la présentation des Diodes Schottky SiC 1200V, série GEN2 , caractérisées par un temps de recouvrement proche de zéro et une basse tension directe permettant une meilleure efficacité du système. Les échantillons sont désormais disponibles sur demande via la Page nouveaux produits Diodes Schottky SiC. Cette année, les activités présentées sur le stand sur le thème : “Rapidité. Agilité. Flexibilité. L’avenir du semi-conducteur de puissance. Aujourd’hui”, comprenaient des démonstrations de plateformes technologiques à venir, pour des produits proches de leur finalisation.

« PCIM Europe 2017 nous a donné une formidable occasion de démontrer et faire savoir que les produits au carbure de silicium sont plus que jamais disponibles, et à des prix abordables, pour un plus grand nombre de concepteurs de convertisseurs de puissance, » a indiqué Ian Highley, premier vice président et directeur général de Semiconductor Products et directeur technique pour Littelfuse. « Nous avons hâte de travailler en étroite collaboration avec ces concepteurs afin d’amener leurs produits le plus rapidement possible sur le marché. »

Lors d’une série de courts entretiens techniques sur le stand, les experts en semi-conducteurs de puissance de Littelfuse ont abordé les problèmes liés aux semi-conducteurs de puissance, en particulier les défis associés à l’intégration de dispositifs SiC dans des concepts de conversion de puissance. Plusieurs experts en la matière ont également fait des présentations qui démontrent l’expertise conviviale de Littelfuse et le leadership de pensée dans le domaine des semi-conducteurs de puissance :

 Libérer les MOSFET SiC – En extraire la meilleure performance

 Fabrication de MOSFET SiC 1.2 KV robustes en grand volume selon la technologie CMOS 150mm

 Solutions pour une E-mobilité plus sûre

 Comparaison du niveau des systèmes IGBT SiC et MOSFET SiC

 Caractérisation et optimisation de diodes à court circuit SiC pour minimiser les pertes de commutation sur une large plage de température

 MOSFET SiC : Comment pouvons-nous répondre au succès des diodes SiC ?” Littelfuse mettra également en place au cours de l’année ses plateformes compétitives MOSFET 1200 V, ainsi qu’une assistance en applications de niveau des systèmes, avec un développement continu de plateformes pour d’autres catégories de dispositifs clés.

http://www.littelfuse.com/