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Nouveaux produits

Le premier SiC MOSFET de Littelfuse

Publication: 3 octobre

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Littelfuse, a présenté sa première série de transistors métal-oxyde semi-conducteur à effet de champ (MOSFET) au carbure de silicium (SiC), dernière arrivée dans la ligne de semiconducteurs de puissance en pleine croissance de la société...
 

En mars, Littelfuse avait déjà pris les devants pour asseoir sa place de leader industriel dans le secteur des semiconducteurs de puissance grâce à un investissement majoritaire dans la société de développement technologique des SiC très respectée, Monolith Semiconductor Inc. Avec une tension nominale de 1200 V et une résistance à l’état passant ultra-faible (80 mΩ), la Série LSIC1MO120E0080 constitue le premier SiC MOSFET conçu, développé et fabriqué sur une base organique à sortir sur le marché avec ce partenariat. Ce dispositif est optimisé pour les applications de commutation haute fréquence et offre à la fois des pertes de commutation ultra-faibles et des vitesses de commutation ultra-rapide, un résultat qui ne peut pas être atteint avec les solutions de transistors de puissance classiques.

Par comparaison avec les dispositifs au silicium de mêmes caractéristiques nominales, la Série SiC MOSFET permet d’atteindre une dissipation thermique significativement supérieure, pour une taille de composant réduite, associée à une densité de puissance accrue dans les systèmes d’électronique de puissance. Elle offre également une robustesse supérieure et des performances exceptionnelles, même à des températures de fonctionnement élevées (150 °C).

Parmi les applications typiques pour ces nouveaux SiC MOSFET, on peut citer les systèmes de conversion de puissance tels que les convertisseurs solaires, les alimentations à découpage, les systèmes d’alimentation sans coupure (UPS), les entraînements de moteurs, les convertisseurs de tension CC/CC haute tension, les chargeurs de batterie et le chauffage par induction.

Selon Michael Ketterer, product marketing manager pour Power Semiconductors, Electronics Business Unit chez Littelfuse, « notre Série SiC MOSFET constitue un tournant dans notre ascension pour devenir un fournisseur de composants leader dans le secteur de l’électronique de puissance ». « Notre réseau de support d’application SiC MOSFET s’est préparé autant pour aider les clients à accroître les performances de leurs conceptions existantes que pour les assister dans le développement de nouveaux produits de conversion de puissance.

La Série LSIC1MO120E0080 SiC MOSFET offre les atouts suivants :

- Une commutation ultra-rapide assure un rendement plus élevé et une densité de puissance accrue.

- Des pertes de commutation plus faibles permettent d’obtenir des fréquences de commutation plus élevées.

- Les températures de fonctionnement plus élevées permettent d’obtenir une robustesse de dispositif supérieure dans un éventail plus large d’applications à haute température. ​

Disponibilité

LLa Série LSIC1MO120E0080 SiC MOSFET est disponible sous boîtier TO-247-3L et est fournie dans des tubes contenant des quantités de 450. Il est possible de demander des échantillons auprès des distributeurs agréés Littelfuse dans le monde entier.

http://www.littelfuse.com/

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