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Littelfuse, Inc., le leader mondial de la protection des circuits, a annoncé ce jour le lancement de quatre nouvelles séries de diodes Shottky au carbure de silicium (SiC) de 1200 V dans le cadre de sa gamme de produits GEN2 commercialisée depuis mai 2017.

Les séries LSIC2SD120A08, LSIC2SD120A15 et LSIC2SD120A20 offrent respectivement des courants nominaux de 8 A, 15 A et 20 A et sont proposées en boîtier TO-220-2L classique. De plus, la série LSIC2SD120C08 offre un courant nominal de 8 A dans un boîtier TO-252-2L. L’architecture matérielle p-n Schottky fusionnée (MPS) des diodes Schottky SiC GEN2 améliore la résistance aux pics de tension et réduit le courant de fuite. En remplaçant les diodes bipolaires standard en silicium par les nouvelles diodes Schottky SiC GEN2, les concepteurs de circuits peuvent réduire considérablement les pertes de commutation, supporter d’importants courants de crête sans emballement thermique et travailler à des températures de jonction pouvant atteindre 175 °C. L’efficacité et la robustesse des systèmes électroniques de puissance s’en trouvent grandement améliorées.

Les applications types de ces nouvelles diodes Schottky SiC GEN2 sont les suivantes :

 Correction active du facteur de puissance

 Étages d’abaissement (buck) ou d’amplification (boost) des convertisseurs CC-CC

 Diodes de redressement dans les onduleurs

 Rectification de sortie haute fréquence

Les marchés auxquels elles sont destinées comprennent les systèmes d’alimentation électrique industriels, l’énergie solaire, les moteurs industriels, la soudure, la découpe plasma, les stations de rechargement des véhicules électriques, les applications de cuisson par induction et bien d’autres encore.

« Les nouvelles diodes Schottky SiC GE2 sont des solutions idéales pour les concepteurs de circuits qui ont besoin de réduire les pertes de commutation, de supporter d’importants courants de crête sans emballement thermique et de travailler à des températures de jonction élevées », déclare Michael Ketterer, Responsable mondial du marketing produits pour l’activité Semi-conducteurs électriques chez Littelfuse. « Elles viennent compléter l’offre de composants accessibles aux concepteurs de circuits qui cherchent à améliorer l’efficacité, la fiabilité et la gestion thermique des systèmes électroniques de puissance nouvelle génération. »

Les diodes Schottky SiC GEN2 offrent les principaux avantages suivants :

 Charge capacitive stockée optimale et temps de recouvrement négligeable pour des pertes de commutation extrêmement faibles et une réduction des contraintes sur le commutateur opposé, permettant ainsi une utilisation pour la commutation de courant à haute fréquence

 Chute de tension directe (VF) la meilleure de sa catégorie pour des pertes de conduction réduites

 Température de jonction maximale de 175 °C garantissant une marge de conception supérieure et des exigences de gestion thermiques plus souples

Disponibilité

Les diodes Schottky SiC 1200 V séries LSIC2SD120A08, LSIC2SD120A15 et LSIC2SD120A20 sont disponibles en boîtiers TO-220-2L, sous forme de tubes de 1 000 unités chacun. De plus, les diodes Schottky SiC 1200 V GEN2 série LSIC2SD120C08 sont disponibles en boîtiers TO-252-2L sous forme de bandes et de bobines de 2 500 unités chacune. Il est possible de demander des échantillons auprès des distributeurs Littelfuse agréés dans le monde entier.

http://www.littelfuse.com/