Toshiba Electronics Europe présente une nouvelle diode de protection bidirectionnelle contre les décharges électrostatiques (ESD), la DF2B7ASL, qui est principalement à la protection d’interfaces dans le cas d’applications à encombrement limité, comme des appareils portables.
Etant donné que la DF2B7ASL dispose d’un réarmement automatique, elle peut offrir de faibles tensions de verrouillage qui, associées à une faible résistance dynamique, assure une meilleure protection des circuits intégrés contre l’électricité statique. Logé dans un boîtier ultra-compact, ce composant est conçu pour les applications nécessitant un encombrement minimum - notamment les interfaces des smartphones, des wearables et autres appareils alimentés par batterie.
Le DF2B7ASL présente une résistance dynamique très faible, avec seulement 0.2¦¸, et une faible tension de verrouillage (VC) de 11V pour les lignes de signaux 5V (VRWM ¡Ü 5,5V), tout en offrant une tension de décharge électrostatique de +/-30 kV selon IEC61000-4-2 (décharge par contact).
Afin d’offrir un encombrement minime, ces nouvelles diodes Toshiba sont conditionnées en boîtier SOD-962 (SL2) de seulement 0,32 x 0,62 mm.