Electronique Mag - Le journal de l'électronique.
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Toshiba Electronics Europe a commencé à commercialiser deux nouveaux dispositifs 100V dans sa gamme de MOSFET de puissance U-MOS IX-H canal-N basse-tension. Ces nouveaux dispositifs sont parfaitement adaptés aux alimentations électriques présentes dans les équipements industriels, ainsi qu’aux applications de commande moteur.
Fabriqués grâce au dernier procédé "trench" basse-tension U-MOS IX-H de Toshiba, qui optimise la structure des éléments, les TPH3R70APL et TPN1200APL offrent les plus faibles résistances à l’état passant du marché, avec respectivement 3.7 mÙ et 11.5 mÙ. Ces dispositifs présentent une faible charge en sortie (QOSS : 74 / 24 nC) et une faible charge de commutation de porte (QSW : 21 / 7,5 nC), et on peut les piloter avec un niveau logique 4,5V.
Par rapport aux dispositifs actuels produits avec le procédé U-MOS VIII-H, ces nouveaux dispositifs présentent de meilleures valeurs de mérite que les autres MOSFET pour applications de commutation, notamment RDS(ON) Ÿ Qoss, et RDS(ON) ŸQSW.
Le TPH3R70APL se présente en boîtier SOP Advance de 5 x 6 mm et peut supporter des courants de drain (ID) jusqu’à 90A, tandis que le TPN1200APL se présente en boîtier TSON Advance de 3 x 3 mm et supporte des niveaux ID jusqu’à 40A.
Toshiba Electronics Europe va continuer d’étendre son offre MOSFET, en cohérence avec les tendances du marché, afin de continuer d’améliorer le rendement des alimentations électriques.
