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Nouveaux produits

Toshiba annonce une nouvelle génération de MOSFET de puissance superjonction

Publication: 21 août

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Ces nouveaux dispositifs améliorent encore le rendement des alimentations...
 

Toshiba Electronics Europe ("Toshiba") lancé une série de MOSFET de puissance nouvelle génération 650V, destinés aux alimentations de serveurs des centres de données, aux conditionneurs d’énergie photovoltaïque, aux alimentations ininterruptibles (onduleurs ou UPS pour Uninterruptible Power Supply en anglais) et autres applications industrielles.

Le premier dispositif de la série DTMOS VI est le TK040N65Z, un MOSFET 650V qui supporte des courants de drain (ID) jusqu’à 57A en continu, et jusqu’à 228A en impulsionnel (IDP). Le nouveau dispositif offre une résistance à l’état passant RDS(ON) ultra-faible de 0,04Ω (0,033Ω typique), qui réduit les pertes dans les applications de puissance. Ce dispositif amélioré est idéal pour les alimentations rapides modernes, compte tenu de leur capacitance réduite par conception.

Le rendement de l’alimentation est amélioré grâce à la réduction du facteur de mérite RDS(ON) x Qgd qui est un indicateur clé de performance. Le TK040N65Z montre une amélioration de 40% de cet indicateur par rapport au précédent dispositif DTMOS IV-H, ce qui se traduit par un gain significatif du rendement de l’alimentation, de l’ordre de 0,36%, comme mesuré dans un circuit PFC de 2,5 kW.

Ce nouveau dispositif est logé dans un boîtier TO-247 au standard de l’industrie, qui assure la compatibilité avec les conceptions existantes, ainsi que l’adéquation aux nouveaux projets.

Toshiba continuera d’élargir sa gamme de produits pour répondre aux tendances du marché et pour améliorer le rendement des alimentations et des systèmes.

Ce nouveau dispositif est produit en série dès aujourd’hui et livrable immédiatement.

http://toshiba.semicon-storage.com/

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