En poursuivant votre navigation sur ce site, vous acceptez l'utilisation de cookies pour vous proposer des contenus et services adaptés à vos centres d'intérêts. En savoir plus et gérer ces paramètres. OK X
 
 

 

 

Actualité des entreprises

Ouverture du site « Fab 6 » et d’un centre de R&D à Yokkaichi au Japon

Publication: 25 septembre

Partagez sur
 
Toshiba Memory et Western Digital inaugurent l’ouverture du site de fabrication « Fab 6 » et d’un centre de mémoire et de R&D à Yokkaichi au Japon...
 

Toshiba Memory Corporation et Western Digital Corporation inaugurent aujourd’hui Fab 6, un nouveau site de fabrication de semi-conducteurs de pointe, ainsi que le Memory R&D Center dans le complexe de Yokkaichi dans la préfecture de Mie au Japon.

En février 2017 Toshiba Memory a entrepris la construction de Fab 6, un site de fabrication spécialisé dans la mémoire flash 3D. Toshiba Memory et Western Digital ont installé un équipement de production de pointe pour des processus clés, notamment le dépôt et la gravure. La production en masse de mémoire flash 3D à 96 couches sur le nouveau site a commencé au début du mois de septembre 2018.

La demande de mémoire flash 3D va croissant pour les serveurs d’entreprise, les datacenters et les smartphones, une tendance qui devrait se poursuivre dans les années à venir. Des investissements supplémentaires destinés à en étendre la production seront réalisés afin de répondre aux tendances du marché.

Le Memory R&D Center, situé à deux pas du Fab 6, est entré en service en mars 2018, avec pour vocation d’explorer et de promouvoir les avancées dans le développement de mémoire flash 3D.

Toshiba Memory et Western Digital entendent continuer à entretenir et étendre leur prééminence dans le secteur de la « mémoire » en développant activement des initiatives visant à renforcer la compétitivité, à faire progresser le développement conjoint de mémoire flash 3D et à orienter les investissements suivant les tendances du marché.

Yasuo Naruke, CEO de Toshiba Memory, commente : « Nous nous réjouissons des opportunités d’extension du marché pour notre dernière génération de mémoire flash 3D. Fab 6 et le Memory R&D Center nous permettent de tenir notre rang de leader sur le marché de la mémoire flash 3D. Nous sommes convaincus que, grâce à notre partenariat avec Western Digital, nous allons pouvoir continuer de produire des composants mémoire de pointe à Yokkaichi ».

« Nous sommes heureux d’inaugurer Fab 6 et le Memory R&D Center aux côtés de notre partenaire Toshiba Memory. Depuis près de vingt ans, la collaboration fructueuse entre nos deux sociétés a favorisé la croissance et l’innovation dans la technologie flash NAND », ajoute Steve Milligan, CEO de Western Digital. « Nous lançons la production de NAND 3D à 96 couches afin de répondre à l’ensemble des opportunités du marché, depuis les applications grand public et mobiles jusqu’aux datacenters cloud. Fab 6 est un site de pointe qui va nous permettre de renforcer notre position de leader du secteur sur le plan des technologies et des coûts ».

http://www.wdc.com

http://business.toshiba-memory.com/

Suivez Electronique Mag sur le Web

 

Newsletter

Inscrivez-vous a la newsletter d'Electronique Mag pour recevoir, régulièrement, des nouvelles du site par courrier électronique.

Email: