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Nouveaux produits

TI propose un nouveau portefeuille d’étages de puissance à FET en GaN

Publication: 30 octobre

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Quelque 20 millions d’heures d’essais de fiabilité le prouvent : le transistor à effet de champ haute tension en GaN, doté de fonctions de commande et de protection intégrées, double la puissance volumique des applications du secteur industriel et des télécommunications...
 

Texas Instruments (TI), a annoncé aujourd’hui le lancement d’un nouveau portefeuille d’étages de puissance prêts à l’emploi de 50 mÙ ou 70 mÙ, 600 V, en nitrure de gallium (GaN). Capable de prendre en charge des applications jusqu’à 10 kW, la gamme LMG341x permet aux ingénieurs de mettre au point des systèmes plus compacts, plus efficaces et plus performants qu’avec des transistors à effet de champ (FET) en silicone destinés à différents secteurs : les alimentations électriques en CC/CA, la robotique, les énergies renouvelables, les infrastructures en grille, les télécommunications ou encore les appareils électroniques personnels.

Grâce à ses caractéristiques fonctionnelles et de protection uniques en leur genre, la gamme proposée par TI propose une alternative intelligente aux FET en GaN classiques, qu’ils soient autonomes ou montés en cascade. Elle simplifie ainsi la conception des systèmes, améliore leur fiabilité et optimise les performances des alimentations haute tension. Les fonctions intégrées de limitation de courant et de détection des surchauffes en < 100 ns évitent les appels de courant inattendus et les claquages thermiques. De plus, les signaux affichés sur l’interface offrent une fonction d’autosurveillance.

Principaux atouts et caractéristiques des composants LMG3410R050, LMG3410R070 et LMG3411R070

- Des solutions plus compactes, plus efficaces : Les étages de puissance intégrés en GaN de TI doublent la puissance volumique et réduisent de 80 % les pertes par rapport à des transistors à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET). Chaque composant assure des fréquences de commutation rapides à 1 MHz et une vitesse de balayage pouvant atteindre 100 V/ns.

- Un système fiable : Les performances de ce portefeuille ont été validées par 20 millions d’heures d’essai de fiabilité, et notamment des tests de changement d’état abrupt accélérés et en application. Par ailleurs, chaque composant est garanti contre les appels de courant et les courts-circuits grâce à des fonctions de protection thermique et de détection des surintensités en 100 ns.

- Des composants adaptés à chaque niveau de puissance : Tous les composants de la gamme comportent un FET en GaN et des fonctions de commande et de protection, et présentent une résistance de 50 mÙ ou 70 mÙ. Ils fournissent ainsi des solutions mono-puces pour les applications dont la puissance est comprise entre une valeur en deçà de 100 W et 10 kW.

Stand TI au salon electronica

À l’occasion du salon electronica, qui se tiendra du 13 au 16 novembre 2018 au parc des expositions de Munich, en Allemagne, Texas Instruments présentera une application de liaison de réseaux via le cloud de 10 kW. La démonstration se tiendra dans le hall C4, stand 131. Développé conjointement par TI et Siemens, ce système repose sur le composant LMG3410R050, un transistor à effet de champ en GaN de 600 V à fonctions de commande et de protection intégrées. Il permet aux ingénieurs de réduire la taille du composant de 30 % par rapport à un FET classique en silicone, tout en maintenant une efficacité quasi identique.

Offre groupée, disponibilité et prix

Les composants LMG3410R050, LMG3410R070 et LMG3411R070 sont disponibles dès aujourd’hui dans la boutique TI, au format QFN (quad flat no-lead) 8x8 mm. Le lot de 1 000 unités est proposé respectivement à 18,69 USD, 16,45 USD et 16,45 USD.

http://www.ti.com/

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