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CISSOID, leader mondial des semiconducteurs haute température pour les marchés les plus exigeants, présentera de nouveaux gate drivers, des MOSFET SiC et des modules de puissance IGBT haute température à PCIM 2019, le salon mondial de l’électronique de puissance, de la commande de moteurs, des énergies renouvelables et de la gestion d’énergie.

La société lance une nouvelle carte gate driver, optimisée pour les modules de puissance MOSFET SiC (carbure de silicium) de 62 mm, résistante à 125°C (Ta). Cette carte, basée sur le chipset gate driver HADES de CISSOID, est aussi capable de piloter des modules de puissance IGBT, tout en offrant de la marge au niveau de la conception thermique des convertisseurs de puissance haute densité destinés aux applications automobiles ou industrielles. Elle permet une commutation haute fréquence (> 100 KHz) et rapide (dV/dt > 50 KV/μs) des MOSFET SiC, ce qui améliore le rendement et réduit la taille et le poids des convertisseurs de puissance. La carte, conçue pour les environnements les plus hostiles, supporte la commande de modules de puissance 1.200V et 1.700V grâce à une tension d’isolation jusqu’à 3.600V (50 Hz, 1 min) et à une distance de fuite de 14 mm. Plusieurs fonctions de protection comme le verrouillage en cas de tension insuffisante (UVLO pour Under Voltage Lock Out en anglais), la protection AMC (pour Active Miller Clamp) et la détection de dé-saturation, assurent un pilotage en toute sécurité et une protection fiable du module de puissance en cas de défaut. « Cette nouvelle carte gate driver SiC est l’aboutissement de plusieurs années de développement en collaboration avec des leaders des marchés de l’automobile, du transport et de l’aéronautique. Elle combine l’expertise de CISSOID dans le domaine des dispositifs SiC et sa longue expérience dans la conception de puces et de systèmes électroniques pour environnements sévères » déclare Etienne Vanzieleghem, Vice-Président Ingénierie chez CISSOID.

A Nuremberg, CISSOID présentera également de nouveaux MOSFET SiC et des modules de puissance IGBT. Un nouveau transistor MOSFET SiC discret 1200V / 40 mOhms est disponible en boîtier TO-247 avec homologation -55°C à +175°C. Ce MOSFET présente une résistance drain-source de 40 mOhms à +25°C (Tj) et de 75 mOhms à +175°C (Tj). Les faibles énergies d’allumage et d’extinction, respectivement de 1mJ et 0.4mJ, font de ce dispositif le candidat idéal pour les convertisseurs DC-DC, les onduleurs de puissance et les chargeurs de batterie compacts et à haut rendement. La société présentera également deux modules de puissance IGBT 62 mm 1200V à courant nominal 200A et 300A.

CISSOID travaille également sur des modules de puissance MOSFET SiC, qui seront présentés dans les mois à venir. « Ces nouveaux produits témoignent de l’engagement de CISSOID à proposer une offre SiC complète, comprenant des transistors, des modules et des gate drivers, pour soutenir le passage de l’industrie vers des convertisseurs de puissance à haut rendement, légers et compacts, destinée notamment aux nouveaux véhicules électriques et aux énergies renouvelables, » déclare Dave Hutton, Président Exécutif de CISSOID. « Nous travaillons en étroite collaboration avec les fabricants automobiles et leurs équipementiers pour adapter nos gate drivers aux nouveaux onduleurs de puissance en technologie SiC, » ajoute t-il.

http://www.cissoid.com/