Electronique Mag - Le journal de l'électronique.

Toshiba Electronics Europe lance un nouveau MOSFET de puissance canal-N 100 V, adapté aux applications automobiles telles que les commutateurs de charge, les alimentations à découpage et le pilotage de moteurs.

Le nouveau XK1R9F10QB est le premier dispositif disponible de la nouvelle série de MOSFET à architecture "trench" (tranchée), Toshiba U-MOS X-H. Il est produit grâce au procédé dernière génération de la société. Conditionné en boîtier TO-220SM(W), il offre la plus faible résistance à l’état passant RDS(on) du marché, avec 1,92 mΩ maximum pour une tension VGS de 10V. Cela représente un gain d’environ 20% par rapport aux dispositifs actuels comme le TK160F10N1L, ce qui contribue à réduire la consommation et à améliorer le rendement des applications automobiles. Le XK1R9F10QB présente aussi un bruit de commutation très réduit, grâce à l’optimisation de ses caractéristiques de capacitance qui réduit les parasites électromagnétiques.

Ce nouveau dispositif supporte une tension drain-source (VDSS) de 100 V, et un courant de drain nominal (ID) de 160 A en mode continu, ou de 480 A en mode pulsé (IDP). Le dispositif peut fonctionner avec une température de canal de 175ºC et présente une impédance thermique canal-boîtier (Zth(ch-c)) inférieure à 0,4ºC/W, qui améliore les performances thermiques.

Le XK1R9F10QB est qualifié AEC-Q101 pour les applications automobiles, et un modèle PSpice est disponible gratuitement pour faciliter la simulation rapide.

Les livraisons en volumes de ce nouveau dispositif démarrent dès aujourd’hui.

http://toshiba.semicon-storage.com/