Electronique Mag - Le journal de l'électronique.
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Toshiba Electronics Europe a amélioré les caractéristiques de son procédé SOI (Silicium On Insulate, ou silicium sur isolant) destiné aux CI de commutation RF et aux amplis LNA (Low Noise Amplifier, ou amplificateur à faible bruit). Ce nouveau procédé, dénommé TaRFSOI™ (Toshiba RF SOI) est un SOI-CMOS, un procédé de fabrication frontal développé par Toshiba pour les CI de commutation RF.
Etant donné que les performances des appareils mobiles, notamment des smartphones, s’améliorent sans cesse, les fréquences radio qu’ils utilisent sont de plus en plus élevées. En général, la sensibilité de réception se détériore quand la fréquence augmente, de la même manière qu’entre une antenne et un circuit de réception. Par conséquent, il faut sans cesse améliorer les performances des LNA afin d’améliorer la qualité du signal reçu en compensant l’atténuation du signal.
Le procédé Toshiba de dernière génération (TaRF11) permet d’améliorer sensiblement les caractéristiques des amplificateurs à faible bruit (LNA). Ce nouveau procédé offre une amélioration supplémentaire des caractéristiques RF par rapport au TaRF10, le procédé SOI-CMOS de la génération actuelle. @L’un des paramètres clé de ces dispositifs est leur facteur de bruit (NF pour Noise Factor en anglais), qui compare les rapports signal/bruit au niveau de l’entrée et de la sortie.
Les MOSFET issus du procédé TaRF11 et destinés aux amplis LNA, présentent un facteur de bruit (NF) minimum de 0,48 dB à 8 GHz, soit un gain de 0,3 dB par rapport aux dispositifs similaires produits avec le procédé TaRF10. Comme le TaRF10, le procédé TaRF11 permet de fabriquer le LNA, le commutateur RF et le circuit de commande sur une même puce.
Des CI de commutation RF innovants sont en cours de développement avec le procédé TaRFSOI de Toshiba, en collaboration avec les installations de production du groupe (Japan Semiconductor Corporation), ce qui permet de lancer rapidement de nouveaux produits sur le marché.
À mesure que la technologie finale évolue, Toshiba continue à développer son procédé pour répondre aux besoins du marché, notamment le passage de 5 GHz à 7 GHz prévu dans le domaine des smartphones. En outre, Toshiba prévoit de développer des dispositifs pour la bande ultra large (UWB) de 7 à 10 GHz basés sur le procédé TaRFSOI.
