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Nouveaux produits

Les modules SiC d’ON Semiconductor vont équiper les PV solaires de Delta

Publication: 29 juillet

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Les onduleurs PV triphasés de Delta tirent profit du rendement qu’offre la technologie SiC...
 

ON Semiconductor, qui est à l’origine de nombreuses innovations en matière d’efficacité énergétique, a présenté un module d’alimentation à base de-SiC destiné aux onduleurs photovoltaïques, qui a été retenu par le leader mondial des solutions de gestion énergétique et thermique, Delta, pour sa gamme d’onduleurs triphasés M70A pour chaînes photovoltaïques (PV).

La famille de modules de puissance à base de-SiC, NXH40B120MNQ, intègre un MOSFET SiC 1200 V, 40 mΩ et une diode boost SiC 1 200 V, 40 A à double étage boost. L’utilisation de la technologie SiC offre la faible énergie de recouvrement inverse et la commutation rapide nécessaires pour atteindre les rendements énergétiques élevés que nécessitent certaines applications telles que les onduleurs PV.

« La technologie carbure de silicium (SiC) a le potentiel de révolutionner le marché de l’énergie, » affirme Asif Jakwani, Vice-Président Senior de la division Advanced Power chez ON Semiconductor. « Les modules de puissance intégrés à base de-SiC développés par ON Semiconductor démontrent la maturité de la technologie SiC tout en répondant au besoin de rendement élevé des systèmes tels que les onduleurs photovoltaïques qui fonctionnent à des niveaux de puissance élevés . »

« Dans le cadre de nos efforts pour proposer des solutions innovantes, propres et à haut rendement énergétique pour un avenir meilleur, nous cherchons toujours à nous engager avec des fournisseurs qui peuvent nous aider à atteindre les plus hauts rendements, à réduire le volume et le poids des produits, et à répondre aux besoins du marché mondial du photovoltaïque solaire, » déclare Raymond Lee, Directeur de la division Onduleurs PV chez Delta. Il ajoute : « Les modules de puissance à base de-SiC d’ON Semiconductor ont été retenus pour notre onduleur triphasé de chaînes PV, M70A de 70 kW, car ils offrent les meilleures performances de leur catégorie, ce qui, combiné à notre savoir-faire unique en matière d’électronique de puissance à haut rendement, permet à nos produits d’atteindre un rendement de conversion énergétique pouvant atteindre 98,8%. »

Dans le cadre du développement par ON Semiconductor de son offre produits de modules de puissance intégrés (PIM) basés sur les technologies à bande interdite large (WBG), le NXH40B120MNQ offre un haut niveau d’intégration et un brochage optimisé pour la conception d’onduleurs. Grâce aux composants à base de SiC, ce module de puissance présente de faibles pertes de conduction et de commutation, ce qui permet d’avoir des fréquences de commutation plus élevées, et contribue à un meilleur rendement de conversion. Les modules sont faciles à utiliser, avec des connexions « press-fit » sans soudure, et des options d’interface thermique au choix du client, en fonction de ses préférences.

Le module de puissance à base de -SiC, NXH40B120MNQ, est disponible en variantes 2 ou 3 canaux, et il est complété par le NXH80B120MNQ0, un module 2 canaux intégrant un MOSFET SiC 1 200 V, 80 mΩ et une diode SiC 1 200 V, 20 A.

http://www.onsemi.com/

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