Electronique Mag - Le journal de l'électronique.
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KIOXIA Corporation et Western Digital Corp. ont annoncé que les entreprises avaient développé leur sixième génération de technologie de mémoire flash 3D à 162 couches. Il s’agit de la technologie de mémoire flash 3D la plus aboutie et à la plus haute densité jamais développée par une entreprise, et ce, grâce à une grande variété d’innovations en matière de techniques et de fabrication. Cette mémoire pose ainsi un nouveau jalon dans leur coentreprise qui dure depuis vingt ans déjà.
« Grâce à notre solide partenariat qui s’est développé sur plus de deux décennies, KIOXIA et Western Digital ont réussi à atteindre des capacités inégalées en matière de fabrication et de R&D », a déclaré Masaki Momodomi, directeur de la technologie chez KIOXIA. « Ensemble, nous produisons plus de 30 %1 des bits de mémoire flash à travers le monde et sommes particulièrement attachés à notre mission, à savoir fournir une capacité, une performance et une fiabilité exceptionnelles à un prix compétitif. Nous travaillons tous afin de remplir cette mission à travers une variété d’applications axées sur des données, des appareils électroniques personnels aux centres de données, en passant par les applications émergentes offertes par les réseaux 5G, l’intelligence artificielle et les systèmes autonomes ».
« Étant donné que les lois de Moore commencent à atteindre leurs limites physiques dans l’industrie des semiconducteurs, il y a un domaine dans lequel ces lois demeurent très utiles les mémoires flash », a déclaré Dr. Siva Sivaram, directeur du département technologie et stratégie, à Western Digital. « Afin de poursuivre ces avancées et de répondre à la demande mondiale croissante de données, il est indispensable d’adopter une nouvelle approche de mise à échelle des mémoires flash 3D. Avec cette nouvelle génération, KIOXIA et Western Digital apportent des innovations en matière de mise à l’échelle verticale et horizontale afin d’offrir une plus grande capacité dans une puce réduite et avec moins de couches. C’est cette innovation qui permettra d’assurer la performance et la fiabilité souhaitées par la clientèle à un coût raisonnable. »
Cette sixième génération de mémoire flash 3D présente une architecture moderne qui va au-delà des mémoires conventionnelles avec réseau de trous en huit niveaux et offre ainsi une densité de réseaux de cellules horizontales jusqu’à 10 % supérieure comparée à la technologie de la cinquième génération. Les progrès en matière de mise à échelle horizontale combinés avec les 162 couches de mémoire superposées à la verticale permettent d’obtenir une réduction de 40 % de la taille du produit comparée à la technologie à 112 couches, tout en optimisant les coûts.
Les équipes de KIOXIA et de Western Digital ont également utilisé un placement des CMOS en circuit sous réseau et un fonctionnement en quatre niveaux qui permettent ensemble d’atteindre une performance du programme presque 2 à 4 fois meilleure et une amélioration de 10 % de la latence de lecture comparée à la génération précédente. Les performances I/O sont également 66 % plus élevées, ce qui permet à l’interface de la nouvelle génération de pouvoir répondre au besoin toujours croissant de taux de transfert plus rapides.
Dans l’ensemble, la nouvelle technologie de mémoire flash 3D réduit le coût par bit, tout en augmentant de 70 % les bits par wafer produits comparée à la génération précédente. KIOXIA et Western Digital continuent de faire avancer l’innovation afin de garantir une adaptation constante visant à répondre aux besoins des clients et de leurs différentes utilisations.
