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Microchip Technology Inc. annonce ce jour le développement significatif de son portefeuille de composants de puissance à base de nitrure de gallium (GaN) à radio fréquence (RF) grâce à l’ajout de nouveaux circuits intégrés MMIC et de transistors discrets couvrant des fréquences allant jusqu’à 20 GHz. Ces composants associent un haut rendement en puissance ajoutée (PAE, Power-Added Efficiency) et une forte linéarité pour fournir de nouveaux niveaux de performance dans des applications allant de la 5G aux appareils électroniques, en passant par les communications satellites, les applications commerciales, les systèmes de radar militaire et les équipements de test.

Comme tous les produits de puissance RF GaN de Microchip, ces composants sont fabriqués à partir d’une technologie « GaN sur carbure de silicium » qui offre la meilleure combinaison pour une densité de puissance et un rendement élevés, ainsi qu’un fonctionnement haute tension et une longévité supérieure à 1 million d’heures à une température de jonction de 255 °C.

Ils intègrent des circuits intégrés monolithiques micro-ondes (MMIC) couvrant les plages de fréquence de 2 à 18 GHz, de 12 à 20 GHz et de 12 à 20 GHz, avec une puissance de sortie RF au point de compression de 3 dB (P3dB) jusqu’à 20 W et une efficacité jusqu’à 25 %. Ils sont également dotés d’amplificateurs MMIC GaN, sous forme de composants nus ou encapsulés, pour la bande S ou X, avec un PAE allant jusqu’à 60 %, ainsi que de transistors à haute mobilité électronique (HEMT) discrets, couvrant du CC à 14 GHz, avec une puissance de sortie RF P3dB allant jusqu’à 100 W et une efficacité maximale de 70 %.

« Microchip continue d’investir dans sa famille de produits RF GaN pour permettre le développement de toute application à toute fréquence, depuis les micro-ondes jusqu’aux ondes millimétriques. Notre portefeuille de produits comprend plus de 50 composants, depuis les niveaux de puissance les plus faibles jusqu’à 2,2 kW », explique Leon Gross, vice-président du département des produits discrets chez Microchip. « Ensemble, les produits annoncés aujourd’hui couvrent la plage de 2 à 20 GHz et sont conçus pour répondre aux problèmes de linéarité et d’efficacité posés par les techniques de modulation d’ordre supérieur utilisées pour la 5G et pour d’autres réseaux non filaires, ainsi qu’aux besoins spécifiques des communications satellites et des applications militaires. »

Le portefeuille de semi-conducteurs RF de Microchip, en plus des composants GaN, va des amplificateurs et modules RF à arséniure de gallium (GaAs) aux amplificateurs à faible bruit, en passant par les modules frontaux RFFE, les diodes varactor, les diodes de Schottky et les diodes PIN, les commutateurs RF et les atténuateurs à tension variable (VVA).

De plus, la société fournit des capteurs SAW et des oscillateurs MEMS ainsi que des modules à très haut niveau d’intégration qui associent des microcontrôleurs dotés d’émetteurs-récepteurs RF (microcontrôleurs Wi-Fi®), compatibles avec les principaux protocoles de communication sans fil, allant du Bluetooth® au Wi-Fi® en passant par le LoRa®.

Outils de développement

Microchip fournit un support technique pour faciliter la conception des cartes par les développeurs, tout comme le font les partenaires de distribution de la société. La société fournit également des modèles compacts pour les nouveaux produits GaN, qui permettent aux clients de modéliser plus facilement les performances et accélèrent le développement des amplificateurs de puissance dans leurs systèmes.

Disponibilité

Les puissance composants annoncés ce jour, incluent ICP0349PP7-1-300I and ICP1543-1-110I, ainsi que d’autres produits RF de Microchip, et sont disponibles en production en volume. Pour toute information complémentaire, veuillez prendre contact avec votre revendeur Microchip ou rendez-vous sur le site Web de Microchip. Pour acheter les produits GaN de Microchip, veuillez prendre contact avec un distributeur Microchip agréé.

https://www.microchip.com/