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Renesas Technology Europe annonce une série de 12 composants MOSFET de puissance de 10ème génération destinés aux convertisseurs DC/DC isolés utilisés pour les alimentations d’applications telles que les serveurs, les équipements de communications et les équipements industriels. Ces nouveaux MOSFET de puissance affichent de très faibles pertes en commutation afin d’assurer un rendement optimal. Ces composants de puissance couvrent une large gamme de tensions de 40 V, 60 V, 80 V, 100 V et sont disponibles en volume depuis le 3 décembre 2009.

Le procédé de fabrication de 10ème génération employé pour ces 12 nouveaux composants a largement fait ses preuves pour les MOSFET précédents (utilisés principalement dans des convertisseurs DC/DC non-isolés). Le design des MOSFET s’est focalisé sur l’optimisation de la résistance à l’état passant RDS(on). Ce procédé de fabrication a été optimisé pour atteindre une charge grille-drain (Qgd : gate-drain charge) jusqu’à 50 % plus faible que celle des précédents composants de Renesas Technology. La charge grille-drain (Qgd) est une caractéristique clé pour obtenir une faible perte de commutation pour un MOSFET de puissance. De plus, le boîtier spécifique haute performance (LFPAK) offre une diminution de la résistance de boîtier et améliore les caractéristiques de dissipation de la chaleur. Cela contribue à l’amélioration des performances du composant et contribuant à l’obtention de convertisseurs DC/DC isolés ayant un rendement énergétique plus élevé et une consommation d’énergie réduite.

Afin de réduire la consommation d’énergie des convertisseurs DC/DC isolés, la valeur de la charge grille-drain (Qgd) du MOSFET doit être faible. C’est un facteur clé pour obtenir une faible perte de commutation. Les 12 nouveaux MOSFET de puissance sont fabriqués dans le procédé technologique de 10ème génération, 0,18 µm, de Renesas Technology, qui a été optimisé pour cette application. Par exemple : le RJK1056DPB avec une plage de tension de 100 V affiche une charge grille-drain de 7,5 nC, ce qui correspond approximativement à 50 % de moins que les 14,5 nC du précédent HAT2173H de Renesas Technology.

Les tensions en entrée et en sortie d’un convertisseur DC/DC isolé sont déterminées par la plage de tension des MOSFET de puissance utilisés. Concernant les composants isolés, un convertisseur DC/DC comprend une source d’alimentation primaire du côté entrée et une source d’alimentation secondaire du côté sortie. La série des nouveaux MOSFET de puissance comportent des composants avec des excursions en tension de 80 V et 100 V, particulièrement demandés pour le côté primaire, et des composants avec des plages de tension de 40 V et 60 V, particulièrement demandés pour le secondaire. Les utilisateurs peuvent ainsi choisir les produits qui correspondent le mieux à leurs exigences.

Les nouveaux MOSFET de puissance utilisent le boîtier LFPAK réputé haute performance de Renesas Technology. Il assure à la fois une faible résistance de boîtier et d’excellentes caractéristiques de dissipation de chaleur pour prévenir toute surchauffe du composant. Par comparaison avec un classique SOP-8 ou équivalent, ce boîtier contribue par lui-même aux caractéristiques de faible perte du produit. Les connexions internes sont faites directement au châssis, réduisant l’inductance du boîtier et le rendant plus approprié à un fonctionnement en haute fréquence.

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