Electronique Mag - Le journal de l'électronique.

Un leader dans les technologies de semiconducteurs dont la vocation est de construire un monde de connexion sécurisé et intelligent, a étendu sa famille de transistors de puissance RF S-band avec des composants utilisant la technologie de pointe gallium nitride (GaN) sur un substrat en Carbure de Silicium (SiC). Ces transistors hautement pulsés GaN-on-SiC fournissent une puissance de crête inégalée dans l’industrie et un gain pour les systèmes radars fonctionnant dans la bande de fréquence de 2,7 GHz à 3,5 GHz.

Ceci représente une avancée significative dans la stratégie de Microsemi de supporter les exigences de plus en plus grandes du contrôle du trafic aérien de nouvelle génération et autres systèmes radars.

Microsemi a amélioré son expertise pour ces transistors RF S-band afin de créer une famille de solution GaN-on-SiC parfaitement adaptée et répondant aux besoins des systèmes de prochaine génération qui demandent plus de puissance , plus d’efficacité , et une plus large bande , ce qui est impossible avec les technologies conventionnelles à base de silicium ou silicium sur puce . La technologie GaN-on-SiC avec son matériau à large bande ou « matériau grand Gap » permet de plus petits systèmes avec une tension améliorée, un plus fort gain, une plus grande performance de largeur de bande, plus d’efficacité de drain et une fiabilité à long terme, idéal pour les applications fonctionnant dans des bandes de fréquences jusqu’à 20GHz .

Ces nouveaux transistors de puissance GaN-on-SiC de Microsemi complètent la gamme déjà étoffée de transistors de puissance Silicium BJT, RF MOSFET (VDMOS) et RF NPN, y compris les composants SiC SIT fournissant une performance accrue dans les applications radars cadencés en bande UHF fonctionnant en 450 MHz. Microsemi utilise également la technologie GaN pour sa famille de transistors à effet de champ « FET » GaN en mode amélioré intégrés dans les satellites et autres produits de conversion d’énergie militaires, points de charge, et systèmes d’interrupteurs haute vitesse.

Caractéristiques

Les composants GaN-on-SiC de Microsemi possèdent une tenue en tension de drain bien au dessus de 350 Volts (V), leur permettant de fonctionner avec une dérivation de drain de 60 V tout en offrant , d’une manière significative, une plus grande fiabilité que les composants fabriqués selon la technologie LDMOS « laterally diffused metal oxide semiconductor ». La dérivation de drain la plus haute améliore la sortie de puissance crête tout en concédant des niveaux d’impédance plus conviviaux et une simplification du circuit au travers de toute la largeur de bande du système. Ils fournissent également plus de 13dB de gain de puissance et couvrent 400 MHz de largeur de bande.

Les nouveaux transistors de Microsemi réduisent aussi la taille des systèmes. Par exemple, le transistor 2729GN-270 remplace un amplificateur à transistors Si BJT trois-étages conventionnel consistant en un transistor driver, plus un empilement de sortie de deux transistors 150W.

Microsemi a annoncé deux produits pour chacune de trois bandes de fréquence :

 Bande de 2,7 à 2,9GHz pour les applications de contrôle aérien (format de pulsation : 100 us, 10% ; gain de puissance : 13 14dB typique ; efficacité de 55 à 60 %)
 2729GN-270 – 280 W de puissance (typique)
 2729GN-150 – 160 W de puissance (typique)

 Bande de 2,7 à 3,1GHz pour les applications de contrôle aérien (format de pulsation : 200 us, 10% ; gain de puissance : 12 13 dB typique ; efficacité de 50 à 55 %)
 2731GN-200 – 220 W de puissance (typique)
 2731GN-110 – 120 W de puissance (typique)

 Bande de 3,1 à 3,5GHz pour les applications de suivi aéroporté (format de pulsation : 300 us, 10% ; gain de puissance : 11 12 dB typique ; efficacité de 45 à 50 %)
 3135GN-170 – 180 W de puissance (typique)
 3135GN-100 – 115 W de puissance (typique)

Des échantillons sont disponibles pour évaluation. Pour obtenir d’autres informations contactez : GaN@Microsemi.com.