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La société étend la gamme de solutions en température étendue, et haute fiabilité, déjà la plus large de l’industrie.

un leader dans les technologies de semiconducteurs dont la vocation est de construire un monde de connexion sécurisé et intelligent, annonce un composant mémoire 9Gb (gigabit) SDRAM DDR3 , le premier de cette catégorie à être présenté en un seul boîtier plastique ball grid array (PBGA) et comme un module mémoire DIL compact x72 (DIMM). Cette solution permet aux concepteurs de mettre jusqu’à 4Goctets de densité mémoire dans des systèmes plus petits, plus rapides utilisés dans des applications critiques. Parmi celles-ci, on peut citer les communications sécurisées, les systèmes de missiles, les munitions,…. fonctionnant en environnements exigeants et nécessitant des plages de températures étendues.

Les composants Microsemi commerciaux “off-the-shelf” (COTS) SDRAM DDR3 offrent aux concepteurs une solution mémoire autonome, haute densité avec, de plus, la largeur de données nécessaire à leurs applications. Ils requièrent significativement moins d’espace que les systèmes construits en composants discrets, et utilisent moins d’espace sur la carte que les solutions mémoire en boîtiers « chip scale » (CSPs) et autres solutions monopuce. Ces composants gèrent également le routage entrées/sorties (E/S) et réduisent le nombre et le placement de composants tout en fournissant une intégrité supérieure du signal.

Caractéristiques principales

 Densité – 1Goctet, 9Gbits. Possibilité de monter à 4Goctets

 Taille seulement de 20.5 mm x 21.5 mm

 Disponible en boîtier PBGA 375

 30 % d’économie d’espace et 21% d’économie de routage d’E/S par rapport à des solutions similaires en composants discrets

 Supporte des taux de données de 800, 1,066 and 1,333 mégabit par seconde (Mb/s)

 Fonctionne avec une alimentation 1,5 volt

 Disponible en gammes de température commerciales et industrielles

Les mémoires haute vitesse de Microsemi optimisent la performance en utilisant une architecture « prefetch » quatre nanosecondes (ns) avec une interface permettant à deux mots de données d’être transmis par cycle d’horloge. Ils peuvent être durcis et à l’épreuve de falsification, et sont présentés en densités jusqu’à 4Goctets avec des configurations 2x256Mx72. Microsemi pense sortir une option bas- profil, compatible avec l’empreinte du boitier actuel PBGA 375. Tous les composants sont soumis à des tests rigoureux concernant l’environnement et les températures.