Electronique Mag - Le journal de l'électronique.
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Les ingénieurs d’alimentations électriques ont
deux principaux défis pour diminuer l’espace
dont ils disposent et augmenter la puissance.
C’est notamment primordial dans les marchés du PC portable, point de charge, serveur, jeux et les télécoms. Afin d’aider les concepteurs à répondre à ces défis, Fairchild Semiconductor, un des principaux fournisseurs de circuits de puissance et mobiles de hautes performances, a développé la gamme de modules MOSFET bi-asymétriques de puissance, FDMS36xxS.
La gamme FDMS36xxS intègre un MOSFET synchrone et de contrôle ainsi qu’une diode Schottky monolithique dans un boîtier PQFN. Le noeud de commutation a été connecté en interne pour faciliter le placement et le routage des convertisseurs à découpage synchrones. Le MOSFET de contrôle (Q1) et le MOSFET synchrone (SyncFET) (Q2) ont été conçus pour apporter une efficacité électrique optimale aux courants de sortie jusqu’à 30 amp. En intégrant ces circuits dans un seul module, la gamme FDMS36xxS diminue l’espace carte en remplaçant deux ou davantage de boîtiers PQFN, S08 et DPAK de 5mm x 6 mm.
La gamme FDMS36xxS est conçue avec l’architecture Shielded Gate Technology et la technologie de boîtier avancée pour atteindre 2m0hm de RDS(ON) low side avec des ruptures de tension HPC. Cette gamme est optimisée pour réduire l’association de pertes de conduction et de commutation de 300 à 600 KHz afin d’obtenir une efficacité électrique très élevée et fiable pour les points de charge et les applications DC-DC à découpage synchrone multi-phases.
Cette architecture de circuit modulé plombé unique et le boîtier d’inductance de sources ultra fin de la gamme FDMS36xxS assurent une commutation à faible bruit, diminuent la susceptibilité aux variations du projet et augmentent sa fiabilité. La commutation à faible bruit supprime le recours aux approches d’atténuation qui nécessitent des snubbers externes ou des résistances de gate, ce qui diminue les coûts de nomenclature et l’espace de la carte.
Les circuits de la gamme FDMS36xxS sont actuellement composés des MOSFET dual N-channel asymétriques de puissance PowerTrench FDMS3602S et FDMS3604AS. Les autres circuits seront ajoutés selon les demandes clients et autres études. La gamme FDMS36xxS est certifiée RoHS.
Ces modules MOSFET bi-asymétriques de puissance font partie d’une gamme complète de MOSFET qui apporte une large gamme de solutions aux projets de traitement de l’information hautement efficaces pour des missions critiques.
