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SemiSouth Laboratories, Inc., le fabricant leader de transistors en carbure de silicium (SiC) pour conversion et gestion d’énergie à forte puissance et haut rendement en milieu difficile, présente une carte de démonstration équipée de ses JFET SiC montés dans une configuration de cascode demi-pont. Destinée à l’évaluation rapide des JFET SJDP120R085, cette plateforme de démonstration convient à de nombreuses applications, comme les étages de puissance demi pont d’alimentations boost, buck, inverseur et adaptateur. Dans la configuration en cascode, le JFET est commandé via un MOSFET connecté à sa source, ce qui permet d’utiliser des commandes de MOSFET disponibles sur le marché.

Les JFET de puissance normalement fermés SJDP120R085, de tension de blocage 1200 V, offrent un temps de commutation très court, la compatibilité avec les circuits de commande de grille standard, et un coefficient de température positif qui facilite la mise en parallèle. Ils se caractérisent par un courant de saturation élevé (27 A), une faible résistance à l’état passant par unité de surface (85 mΩ max), et des performances en commutation exceptionnelles. La carte de démonstration est livrée avec les fichiers Gerber et la liste de nomenclature, de manière à ce que les utilisateurs puissent réaliser leurs propres circuits.

« Nos JFET SiC sont à la pointe de l’industrie, et nous nous engageons à fournir en support les meilleurs outils de développement possibles, » commente Dieter Liesabeths, VP Ventes et Marketing.

Les produits de SemiSouth sont disponibles auprès de notre réseau mondial de distributeurs et représentants qualifiés, dont la liste se trouve à l’adresse http://www.semisouth.com/contact/sa...