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Fujitsu Semiconductor Europe présente aujourd’hui une nouvelle gamme de produits FRAM (Ferroelectric Random Access Memory, mémoire non volatile ferro-électrique) supportant une plage étendue de tension de fonctionnement, de 3,0V à 5,5V, et offrant de fait une plus grande flexibilité pour les clients des secteurs de l’industrie et de la mesure. Avec cette nouvelle gamme, Fujitsu ne se contente pas de supporter les systèmes 3V, mais également les systèmes 5V. Le support d’une tension de fonctionnement plus élevée induit un rapport signal/bruit renforcé, rendant les systèmes concernés plus robustes. En outre, en minimisant le nombre de composants nécessaires à la qualification et au stockage sur les sites des clients, la gamme V améliore l’efficacité des processus de conception et logistiques.

Une gamme V taillée pour répondre aux besoins des marchés de l’industrie et de la mesure La nouvelle gamme V de modules FRAM intègrera des produits de 16kbit à 256kbit, pour couvrir les besoins des interfaces I²C et SPI. Les deux premiers produits de celle nouvelle gamme, référencés MB85RC16V et MB85RC64V, intègrent des interfaces série I²C supportant une fréquence de fonctionnement maximale de 400 kHz, couvrant des densités de 16kbit et 64kbit respectivement. Comparés aux produits 3V, les modules MB85RC16V et MB85RC64V apportent une consommation réduite en intensité électrique, à 40 µA (en moyenne, à 400kHz), tout en offrant une consommation limitée à 5 µA en moyenne en situation d’inactivité. Fujitsu a par ailleurs renforcé significativement la fiabilité de ses modules FRAM avec ces nouveaux modèles. Ceux-ci offrent une durée de rétention de données de 10 ans à 85 °C, et supportent 1 trillion (10 12 ) de cycles de lecture/écriture. De quoi garantir le support de températures d’exploitation comprises entre -40 °C et +85 °C. La gamme V a été spécifiquement conçue pour répondre aux besoins des secteurs de l’industrie et de la mesure, avec une consommation électrique limitée, un niveau élevé de robustesse, et une haute fiabilité. En fait, de nombreux systèmes fonctionnent à 5V en parallèle de systèmes opérant à 3V ; des jeux de composants différents sont nécessaires compte tenu de la différence de tension électrique.

Les produits FRAM

Les modules FRAM sont une forme particulière de mémoire non volatile, qui combine les avantages de la SRAM et des EEPROM, avec des délais d’accés limités, une consommation électrique réduite, et une endurance virtuellement illimitée en lectures/écritures. Ces modules constituent désormais une alternative aux EEPROM pour des applications telles que les outils de mesure de puissance, l’automatisation industrielle, les syst2mes de supervision, etc. Des domaines où il est indispensable de pouvoir enregistrer l’activité de maniére fréquente, avec une consommation électrique limitée, mais aussi de prévenir les pertes de données liées à une éventuelle mise hors tension brutale. Outre les modules de la gamme V, Fujitsu propose déjà une vaste gamme de produits FRAM supportant des tensions de fonctionnement de 2,7V à 3,7V, dotés d’interfaces I²C, SPI, ou parallèle. Avec des niveaux de densité variant de 16kbit à 4Mbit.

Disponibilité de la gamme V et perspectives Les modules MB85RC16V et MB85RC64V sont entrés en production de masse. Suite à leur lancement, Fujitsu prévoit de commercialiser un troisième produit, le MB85RS64V, doté d’une interface SPI, en mai 2012. D’autres produits intégrant des interfaces I²C ou SPI avec une densité de 256kbit seront également lancés en 2012. Tous ces produits sont ou seront disponibles dans des packages plastiques SOP à 8 broches 8-pin compatibles EEPROM.