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Toshiba Electronics Europe (TEE) étend sa gamme de transistors MOSFET ainsi que de diodes Schottky à barrière (SBD) à petits signaux et puissance moyenne spécialement adaptés aux applications de transfert d’énergie sans fil. La gamme de dispositifs comprend des SBD et des MOSFET simples et doubles à canal N et à canal P. Les composants miniatures sont optimisés pour répondre aux besoins de faible consommation et de dimensions compactes des applications de charge sans fil pour les terminaux portables alimentés par batterie tels que téléphones mobiles, caméras et appareils-photos numériques, PC tablettes et blocs-notes.

Parmi ces nouveaux composants figure un MOSFET parfaitement adapté à la commutation de charge dans un circuit d’émission/réception pour chargeur sans fil. Le modèle 30V SSM6N55NU est le double transistor MOSFET à canal N ayant la plus haute performance dans l’industrie dans un boîtier UDFN6 ne mesurant que 2 mm x 2 mm x 0,75 mm. Un courant de drain de tout juste 4 A et une résistance série en ligne (RDS(ON)) aussi faible que 46mÙ assurent un fonctionnement hautement efficace. Le composant s’inscrit dans une famille complète de transistors MOSFET combinant faible RDS(ON) et boîtier ultra compact.

Les toutes nouvelles simples et doubles SBD de Toshiba affichent des tensions inverses nominales de 30 V et de très faibles tensions directes nominales (VF) pouvant descendre à 0,45 V. Les options de boîtiers ultra miniatures vont du boîtier USC (SOD-323) avec des dimensions de 2,5 mm x 1,25 mm x 0,9 mm aux options CST2B qui ne mesurent que 1,2 mm x 0,8 mm x 0,6 mm. Parmi les applications des nouveaux transitors MOSFET et diodes SBD figurent la commutation de charge, la rectification basse tension, les circuits bridge et la protection contre les courants inverses.

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