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Toshiba Electronics Europe (TEE) annonce un IGBT avec une diode de recouvrement intégrée, qui offre une tension de blocage de pointe de 1800 V. Référencé GT40WR21, cet IGBT sera parfait pour les designs de chauffage et de cuisson par induction ainsi que pour d’autres applications exigeant une commutation de hautes performances avec des topologies d’onduleurs à résonance.

Le composant RC-IGBT (IGBT à conduction inverse) GT40WR21 1800V à canal N comprend une diode de roue libre intégrée sur la puce de l’IGBT. Le boîtier TO- 3P(N), équivalant au TO247, me mesure que 15,5 mm x 20 mm x 4,5 mm. Une commutation à ultra haute vitesse est supportée par un temps de descente de tout juste 0,15 μs en typique pour l’IGBT.

Le nouveau dispositif de Toshiba est affiché avec un courant de collecteur (IC) de 40 A et peut traiter des courants de pointe de 80 A pendant 1 ms. La tension typique de saturation se situe à seulement 2,9 V pour 40 A. La dissipation maximale au niveau du collecteur est de 375 W à 25°C. La diode intégrée est spécifiée pour un courant direct de 20 A et supporte un courant de pointe de 80 A (pendant 100 μs).

Comme pour les modèles précédents de la famille IGBT à canal N de Toshiba, le GT40WR21 supporte un fonctionnement à haute température avec une température de jonction (Tj) de 175°C au maximum. Un fonctionnement à haut rendement est assuré grâce à de faibles pertes de commutation.

http://www.toshiba-components.com