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Toshiba Electronics Europe (TEE) annonce le premier transistor d’une gamme de MOSFET pour applications dans l’automobile qui affiche à la fois une faible résistance en série (RDS(ON)) et une faible capacité d’entrée (Ciss) avec le procédé de fabrication à tranchée UMOS8 et un boîtier DPAK+ de haute efficacité et fiabilité. Avec tout juste 2,4 mΩ, le MOSFET 40 V 100 A TK100S04N1L présente une résistance RDS(ON) max inférieur de 22% à celle des composants précédents avec les mêmes spécifications de courant et de tension.

Le nouveau MOSFET est certifié AEC-Q101 pour opérer avec des températures de canal jusqu’à 175°C et est adapté à des applications de contrôle de mouvement dans l’automobile telles que des ventilateurs, des pompes, et des moteurs DC sans balais (BLDC).

La 8e génération du procédé de fabrication à tranchée UMOS de Toshiba présente des améliorations significatives au niveau des caractéristiques de compromis entre RDS(ON) et Ciss, avec en outre de plus hautes vitesses de commutation et des émissions de bruit minimes. Combiné à la technologie propriétaire ‘WARP’ utilisée pour le boîtier DPAK+, ce procédé de fabrication permet d’obtenir un RDS(ON) typique de tout juste 1,9 mΩ pour le MOSFET TK100S04N1L.

Tout en offrant la même empreinte et la compatibilité broche à broche avec un boîtier traditionnel DPAK, le modèle DPAK+ remplace les liaisons filaires internes classiques en aluminium par des broches en cuivre. Ce type de liaison mécanique hautement fiable est capable de résister à des cycles répétés d’alimentation et peut subir chocs et vibrations. La vaste zone de connexion combinée à une liaison électrique améliorée réduit en outre un échauffement du fait des pertes au niveau du boîtier et diminue l’inductance du boîtier. Partant, les pertes thermiques et le bruit sont abaissés alors que le composant commute à plus haute vitesse.

Le TK100S04N1L affiche une résistance thermique maximale du canal au boîtier maximale de 1,5°C/W et peut traiter un courant de drain jusqu’à 200 A max. La dissipation de puissance à 25°C s’affiche à 100 W tandis que le courant de fuite max (@ VDS = 40 V) est ultra faible, à 10 µA.

Après l’introduction du nouveau composant 40 V, Toshiba prévoit de lancer des MOSFET 60 V et 100 V pour l’automobile, réalisés avec les mêmes technologies de fabrication et de boîtier.

http://www.toshiba-components.com