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Toshiba Electronics Europe (TEE) étend sa famille de MOSFET basse-tension à rendement ultra-élevé, avec deux nouvelles séries offrant la plus faible résistance à l’état passant (RDS(ON)) de leur catégorie. Ces nouveaux composants 30V miniatures, offrent également une très faible capacité d’entrée (Ciss), assurant un excellent facteur de mérite RDS(ON)*Ciss.

Les nouvelles séries de MOSFET 30V Toshiba TPN et TPH s’appuient sur le processus de huitième génération, U-MOSVIII-H, de la société, et se présentent respectivement en boîtiers CMS miniatures TSON Advance et SOP Advance. Les applications ciblées sont notamment les convertisseurs DC-DC isolés ou non, et les circuits de gestion d’énergie, pour lesquels basse consommation, commutation rapide et encombrement minimum sur le circuit imprimé, sont des critères de conception déterminants.

Les nouveaux transistors MOSFET 30V TPN en boîtier TSON Advance ont une empreinte de 3 x 3 mm, tandis que les composants 30V TPH en boîtier SOP Advance ont un encombrement de 5 x 6 mm. À 10V, les cinq circuits MOSFET 30V de la série TPN présentent des RDS(ON) typiques de 9.4 mΩ à 2.2 mΩ, et des valeurs Ciss typiques de 630 pF à 1600 pF. Les sept circuits de la nouvelle série TPH présentent quant à eux des RDS(ON) typiques (à VGS = 10V) allant de 9.4 mΩ à seulement 0.77 mΩ. Les valeurs typiques de Ciss pour les composants TPH (à VGS = 10V) vont de 510 pF à 5300 pF.

Le processus de gravure UMOS de huitième génération Toshiba a permis des progrès considérables au niveau du compromis entre RDS(ON) et Ciss. Ceci permet de réduire les pertes au niveau des circuits de conduction et de pilotage, et aussi d’améliorer les vitesses de commutation, tout en réduisant au maximum le bruit rayonné. Les transistors MOSFET UMOSVIII-H permettent d’améliorer le rendement et l’encombrement général des applications cible, sans compromettre les performances.

Des échantillons de ces nouveaux MOSFET sont disponibles dès maintenant et la production en masse commencera cet été.