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International Rectifier lance le MOSFET de puissance DirectFET®2 AUIRF8736M2 destiné aux applications automobiles à charge élevée comme la direction assistée, le freinage et les pompes à commande électrique qui nécessitent une densité de puissance supérieure dans un encombrement compact.

Tirant le meilleur de la technologie silicium COOLiRFET™ d’IR, le MOSFET 40 V AUIRF8736M2 présente une résistance à l’état passant (Rds(on)) améliorée de 40 % par rapport aux composants de la génération précédente, ce qui minimise les pertes en conduction. Le boîtier de puissance DirectFET®2 en Can moyen à dissipation sur deux côtés délivre d’excellentes performances thermiques et une faible inductance parasite.

L’AUIRF8736M2 combine les performances des puces silicium COOLiRFET™ et du boîtier DirectFET®2, et délivre ainsi une résistance Rds(on) réduite de 40 % à boîtier équivalent ou des performances similaires à un composant encapsulé en Can large dans un boîtier 50 % plus petit.

Ce circuit est conforme aux standards AEC-Q101. Il utilise des matériaux conformes RoHS, 100 % sans plomb et respectueux de l’environnement, et fait partie de l’initiative de qualité automobile d’IR visant le zéro défaut.

Des datasheets, des notes d’application et des standards de qualification sont disponibles sur le site Web d’International Rectifier, http://www.irf.com

Spécifications