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Nouveaux produits

Toshiba lance de nouveaux modules à mémoire Flash NAND embarquée

Publication: Novembre 2013

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Toshiba lance de nouveaux modules à mémoire Flash NAND embarquée, produits en technologie 19 nm de seconde génération
 

Toshiba Corporation vient d’annoncer le lancement de nouveaux modules à mémoire flash NAND embarquée, intégrant des puces NAND produites en technologie 19 nm de seconde génération. Ces modules 100% conformes à la toute dernière norme e•MMCTM [1], sont destinés à un large éventail d’applications grand-public, comme les smartphones, les tablettes ou les caméras vidéo numériques. La production en série commencera fin novembre.

La demande continue de croître pour les puces mémoires flash NAND haute-densité, capables de supporter la vidéo haute-résolution et d’assurer un stockage plus performant. Ceci est particulièrement vrai dans le secteur des mémoires embarquées dotées d’une fonction contrôleur, qui facilitent le développement et l’intégration dans les systèmes complexes. Toshiba répond à cette demande en renforçant sa gamme de mémoires haute-densité.

Le nouveau dispositif embarqué 32 Go (gigaoctets) de la société, intègre quatre puces NAND 64 Gbits (soit 8 Go) produites en technologie Toshiba 19 nm de seconde génération, et un contrôleur dédié, le tout dans un minuscule module de seulement 11.5 x 13 x 1.0 mm. Le dispositif est conforme JEDEC e・MMCTM Version 5.0, tel que publié par JEDEC en septembre, et offre d’excellentes performances de lecture-écriture, grâce à la nouvelle interface rapide à la norme HS400.

Toshiba va utiliser ses puces NAND dans toute une gamme de mémoires flash NAND embarquées, allant de 4 Go à 128 Go. Toutes intègreront un contrôleur pour gérer les fonctions de base des applications NAND.

Nouvelle ligne de produits

Nom du produit Capacité Boîtier Production en série
THGBMBG8D4KBAIR 32 Go FBGA 153 billes 11.5 x 13 x 1.0 mm Fin novembre 2013
THGBMBG7D2KBAIL16 Go FBGA 153 billes 11.5 x 13 x 0.8 mm Fin novembre 2013

Fonctionnalités principales

  • L’interface à la norme JEDEC e•MMCTM V5.0 assure les fonctions essentielles, y compris la gestion des blocs d’écriture, la correction d’erreurs et le pilote logiciel. Elle simplifie le développement, en permettant aux fabricants de réduire au maximum les coûts, tout en accélérant le lancement des nouveaux produits et les évolutions de produits existants.
  • Une fois embarqué, un module 128 Go pourra stocker jusqu’à 2 222 heures de musique à 128 kbits/s, 16.6 heures de vidéo HD (haute définition) ou 38.4 heures de vidéo SD (définition standard) [2].
  • Les nouveaux produits font appel à des puces mémoires flash NAND en technologie de pointe 19 nm de seconde génération.
  • Ces nouveaux produits sont scellés dans un boîtier FBGA miniature de seulement 11.5 x 13 mm, avec une implantation des signaux à la norme JEDEC e•MMCTM V5.0.

Caractéristiques principales

Nom du produitTHGBMBG8D4KBAIRTHGBMBG7D2KBAIL
InterfaceA la norme JEDEC e•MMCTM V5.0 Interface HS-MMC
Capacité 32 Go 16 Go
Tension d’alimentation 2.7~3.6V (Mémoire) 1.7V~1.95V / 2.7V~3.6V (Interface)
Largeur du bus x1 / x4 / x8
Vitesse d’écriture90 Mo/seconde (Mode Séquentiel/HS400)50 Mo/seconde (Mode Séquentiel/HS400)
Vitesse de lecture270 Mo/seconde (Mode séquentiel/HS400) 270 Mo/seconde (Mode séquentiel/HS400)
Plage de température-25° à +85° Celsius
Boîtier FBGA 153 billes 11.5 x 13 x 1.0 mm FBGA 153 billes 11.5 x 13 x 0.8 mm

www.toshiba-components.com

Notes

[1] e•MMCTM est une marque commerciale et une catégorie produit pour une classe de mémoires embarquées répondant à la norme JEDEC e•MMCTM.

[2] HD et SD sont calculés avec des débits moyens de 17 Mbits/s et 7 Mbits/s, respectivement.

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