Toshiba Corporation vient d’annoncer le lancement de nouveaux modules à mémoire flash NAND embarquée, intégrant des puces NAND produites en technologie 19 nm de seconde génération. Ces modules 100% conformes à la toute dernière norme e•MMCTM [1], sont destinés à un large éventail d’applications grand-public, comme les smartphones, les tablettes ou les caméras vidéo numériques. La production en série commencera fin novembre.
La demande continue de croître pour les puces mémoires flash NAND haute-densité, capables de supporter la vidéo haute-résolution et d’assurer un stockage plus performant. Ceci est particulièrement vrai dans le secteur des mémoires embarquées dotées d’une fonction contrôleur, qui facilitent le développement et l’intégration dans les systèmes complexes. Toshiba répond à cette demande en renforçant sa gamme de mémoires haute-densité.
Le nouveau dispositif embarqué 32 Go (gigaoctets) de la société, intègre quatre puces NAND 64 Gbits (soit 8 Go) produites en technologie Toshiba 19 nm de seconde génération, et un contrôleur dédié, le tout dans un minuscule module de seulement 11.5 x 13 x 1.0 mm. Le dispositif est conforme JEDEC e・MMCTM Version 5.0, tel que publié par JEDEC en septembre, et offre d’excellentes performances de lecture-écriture, grâce à la nouvelle interface rapide à la norme HS400.
Toshiba va utiliser ses puces NAND dans toute une gamme de mémoires flash NAND embarquées, allant de 4 Go à 128 Go. Toutes intègreront un contrôleur pour gérer les fonctions de base des applications NAND.
Nouvelle ligne de produits
Nom du produit | Capacité | Boîtier | Production en série |
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THGBMBG8D4KBAIR | 32 Go | FBGA 153 billes 11.5 x 13 x 1.0 mm | Fin novembre 2013 |
THGBMBG7D2KBAIL | 16 Go | FBGA 153 billes 11.5 x 13 x 0.8 mm | Fin novembre 2013 |
Fonctionnalités principales
Caractéristiques principales
Nom du produit | THGBMBG8D4KBAIR | THGBMBG7D2KBAIL |
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Interface | A la norme JEDEC e•MMCTM V5.0 Interface HS-MMC | |
Capacité | 32 Go | 16 Go |
Tension d’alimentation | 2.7~3.6V (Mémoire) 1.7V~1.95V / 2.7V~3.6V (Interface) | |
Largeur du bus | x1 / x4 / x8 | |
Vitesse d’écriture | 90 Mo/seconde (Mode Séquentiel/HS400) | 50 Mo/seconde (Mode Séquentiel/HS400) |
Vitesse de lecture | 270 Mo/seconde (Mode séquentiel/HS400) | 270 Mo/seconde (Mode séquentiel/HS400) |
Plage de température | -25° à +85° Celsius | |
Boîtier | FBGA 153 billes 11.5 x 13 x 1.0 mm | FBGA 153 billes 11.5 x 13 x 0.8 mm |