Electronique Mag - Le journal de l'électronique.

Toshiba Electronics Europe (TEE) vient d’annoncer des extensions à sa famille de MOSFET à rendement ultra-élevé UMOS VIII-H. Les 32 nouveaux dispositifs permettront aux concepteurs d’économiser de la place et de réduire les pertes, dans le cas d’applications de redressement synchrone ou de commutation au primaire ou au secondaire, et plus généralement dans le cas de circuits nécessitant des dispositifs de tension nominale allant de 60V à 250V.

Ces tout derniers MOSFET offrent des tensions nominales de 60V, 80V, 100V, 150V, 200V ou 250V, et sont tous disponibles en boîtier CMS plat, TSON ou SOP. Les empreintes sur carte sont respectivement de seulement 3 x 3 mm et 5 x 6 mm, tandis que les valeurs de résistance à l’état passant (RDS(ON)) de cette famille sont les meilleures dans leurs catégories. Par exemple, le TPH4R50ANH 100V (RDS(ON) maximum de 4.5 mΩ à VGS = 10V) et le TPH2900ENH 200V (RDS(ON) maximum de 29 mΩ à VGS = 10V) associent les valeurs de RDS(ON) les plus basses, à une charge de grille (Qg) et à une capacité d’entrée (Ciss) très basses.

Les nouveaux transistors MOSFET UMOS VIII-H Toshiba s’appuient sur le processus de production de semiconducteurs de huitième génération, UMOS, de la société. Ce processus offre des améliorations significatives au niveau des caractéristiques RDS(ON) et Ciss , qui permettent d’optimiser le rendement et les vitesses de commutation, tout en réduisant le bruit rayonné à un niveau minimum.

Les applications cible de ces MOSFET CMS 60 à 250V sont notamment la conversion AC/DC et DC/DC dans les systèmes industriels, les appareils ménagers numériques, l’équipement informatique et les consoles de jeu. Les dispositifs 80 à 150V seront particulièrement bien adaptés aux alimentations de nombreux systèmes de télécommunications.

http://www.toshiba-components.com