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Toshiba Electronics Europe (TEE) présente une nouvelle gamme de MOSFET super-jonction à commutation rapide. La nouvelle série DTMOS IV-H comprend les TK31N60X, TK39N60X et TK62N60X, et s’appuie sur la 4ème génération de MOSFET super-jonction 600V, Toshiba DTMOS IV.

Produite grâce au processus de pointe à simple épitaxie de Toshiba, cette nouvelle série de MOSFET super-jonction DTMOS IV-H, convient parfaitement aux applications nécessitant haute-fiabilité, haut rendement énergétique, et design compact. Ces applications sont notamment les alimentations à découpage à haut rendement pour serveurs et stations de base, et les conditionneurs de puissance pour convertisseurs photovoltaïques.

Cette nouvelle série assure une commutation rapide, tout en gardant la faible résistance à l’état passant des DTMOS IV classiques, le tout sans perte de puissance. Ceci est rendu possible par la réduction de la capacité parasite entre grille et drain, (Ciss typique entre 3000 et 6500 pF), ce qui contribue aussi à améliorer le rendement énergétique et à réduire l’encombrement de ces dispositifs.

L’optimisation du motif de grille se traduit par une réduction de 45% de la charge grille-drain (Qg typique entre 65 et 135 nC) ; par rapport à un DTMOS IV classique. Ces nouveaux MOSFET présentent une faible résistance à l’état passant (RDS(ON) maxi à VGS = 10V varie entre 0.088 et 0.040Ω) et ne voient cette résistance augmenter que très peu aux températures élevées, grâce au processus de production à simple épitaxie. Le courant de drain de ces dispositifs varie entre 30.8 et 61.8A.

Ces nouveaux MOSFET DTMOS IV-H sont d’ores et déjà disponibles en boîtier TO-247, et d’autres boîtiers, notamment DFN 8 x 8 mm, TO-220 et TO-220SIS seront proposés ultérieurement.

http://www.toshiba-components.com