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Toshiba Electronics Europe (TEE) étend sa famille de MOSFET super-jonction haut-rendement compacts avec des dispositifs spécifiés jusqu’à 650V. Ces nouveaux MOSFET 650V sont idéaux pour les applications susceptibles de devoir tourner dans des environnements où la tension réseau est fluctuante, ou bien où les températures peuvent être très basses. Le support de tensions plus élevées permet aussi davantage de souplesse au niveau conception, en augmentant les marges de sécurité.

Les tout derniers MOSFET de puissance 650V Toshiba sont basés sur le processus super- jonction DTMOS IV de quatrième génération de la société, et sont disponibles en sept boîtiers compacts différents. Ces dispositifs peuvent être fournis avec une diode FRD (Fast Recovery Diode, ou diode de recyclage rapide) intégrée, qui permet de réduire le nombre de composants et l’empreinte sur carte dans le cas d’applications à commutation haute-fréquence. Les applications ciblées par ces MOSFET 650V sont notamment les alimentations à découpage, les ballasts d’éclairage, les convertisseurs d’énergie photovoltaïques et d’autres développements nécessitant une combinaison de haute-fréquence, de rendement élevé, et de faible bruit EMI (parasites électromagnétiques).

Grâce à leur technologie DTMOS IV, ces nouveaux MOSFET offrent à la fois une résistance à l’état passant extrêmement faible, et une taille de puce réduite, qui autorise de très petits boîtiers, sans perte de puissance. Un avantage majeur du processus "deep trench" (tranchée profonde en français) par rapport à un processus super-jonction standard, est un plus faible coefficient thermique, favorable à un meilleur RDS(ON) en fonction de la température. Le processus DTMOS IV réduit également au minimum la capacitance de sortie (Coss) du MOSFET pour un meilleur fonctionnement SPS à faible charge. En outre, une capacitance grille-drain (Cgd) optimisée assure un meilleur contrôle de commutation grâce à un dv/dt amélioré.

La nouvelle gamme de dispositifs 650V est disponible en boîtiers D-PAK, I-PAK, D2-PAK, I2-PAK, TO-220, TO-220SIS et TO-247. La valeur maximum de RDS(ON) est de 1.2Ω à seulement 0.055Ω.