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GaN Systems Inc, un développeur leader de semiconducteurs de puissance au nitrure de gallium, annonce une famille de transistors GaN normalement bloqués de 100 V couvrant la gamme de 20 à 80 A avec une très faible résistance à l’état passant.

Les nouveaux transistors à enrichissement présentent une capacité de courant inverse, une fonction de mesure de source pour une conception haute vitesse optimale , et une charge totale de grille (QG) ainsi qu’une charge de recouvrement inverse (QRR) exceptionnellement basses. Conformes RoHS, ils sont encapsulés dans le boîtier embarqué GaNPX de GaN Systems, pratiquement un boîtier-puce, qui minimise l’inductance et optimise la performance thermique.

«  Nous pensons être les premiers à disposer d’une gamme aussi large de composants en échantillonnage, » déclare Girvan Patterson, président de GaN Systems. « Les applications incluent les convertisseurs DC-DC haute vitesse, les commandes de moteurs à courant alternatif basse tension, les onduleurs et les alimentations à découpage. »

http://www.gansystems.com