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Avec le distributeur spécialisé, la gamme de transistors de puissance GaN Systems est à la disposition des ingénieurs concepteurs : une nouvelle ère de composants électroniques de puissance plus compacts, légers et efficaces.

GaN Systems Inc, annonce la signature d’un contrat mondial de distribution exclusive avec Mouser Electronics. Basés sur sa technologie exclusive Island Technology®, les transistors de puissance au nitrure de gallium de GaN Systems apportent des avantages significatifs par rapport aux composants MOSFET et IGBT au silicium traditionnels pour proposer des composants électroniques de puissance plus compacts, légers et efficaces, adaptés à de nombreuses applications, dont les appareils électroménagers, les armoires de serveurs de centres de données, les outils de puissance hautes performances alimentés par batterie et les adaptateurs de voyage pour ordinateurs portables.

La technologie exclusive Island Technology® de GaN Systems permet d’intégrer les caractéristiques exceptionnelles de bande passante élargie, de haute vitesse de commutation, de température, de tension et de courant de fonctionnement du nitrure de gallium dans une structure unique permettant de maximiser les rendements des plaques de semi-conducteurs et de produire des transistors à haute efficacité, moins coûteux, et jusqu’à quatre fois plus compacts que les approches de conception traditionnelles. Pour tirer pleinement parti des caractéristiques intrinsèques de rapidité de commutation et de densité de courant des dispositifs Island Technology, GaN Systems a également conçu les boîtiers GaNPX , dépourvus de fixations de conducteurs, ce qui permet de minimiser les inductances et la résistance thermique et de gagner en fiabilité.

Avec des tensions de fonctionnement de composants comprises entre 8 A et 200 A, GaN Systems est la première entreprise à proposer une gamme complète de composants au nitrure de gallium sur le marché mondial. Parmi les premiers produits distribués par Mouser Electronics, figureront le transistor GS61008P, GaN, 100 V, 80 A/5 mΩ, normalement bloqué, et le transistor GS66508P 650 V à faible inductance et haute efficacité thermique, avec capacité de courant inverse, charge de recouvrement inverse nulle et fonction de mesure de source pour des applications hautes vitesse optimales.

Pour en savoir plus sur les produits de GaN Systems disponibles auprès de Mouser, rendez-vous sur la page : http://www.mouser.com/gan-systems