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Toshiba Electronics Europe (TEE) présente le premier MOSFET de puissance 800V, basé sur sa technologie super-jonction DTMOS IV haute-tension. Le TK17A80W fait appel au processus épitaxial de pointe Toshiba, et convient idéalement aux équipements nécessitant une fiabilité et un rendement énergétique élevés, associés à un design compact. Les applications sont notamment les alimentations et les adaptateurs, les convertisseurs "fly-back" et les équipements d’éclairage à LED.

Comparé aux processus multi-épitaxiaux, la technologie Toshiba "Deep Trench" (littéralement "tranchée profonde") assure une résistance à l’état passant (RDS(ON)) plus faible aux températures élevées. Elle assure également des pertes à la coupure (EOSS) inférieures, par rapport aux technologies précédentes. La combinaison d’une augmentation moins rapide de RDS(ON) aux températures élevées, et d’une EOSS inférieure, garantit aux alimentations un rendement plus élevé, qui permettra aux concepteurs de réduire l’encombrement global.

La technologie DTMOS IV permet une commutation plus rapide, grâce à la réduction de la capacitance parasite entre grille et drain. La valeur de CISS typique du TK17A80W est de seulement 1450 pF (à VDS = 300V, f = 100 kHz). Les valeurs nominales maximum sont de 800 VDSS, ±30 VGSS et 17A. La valeur RDS(ON) maximum est de 0.3 ohm.

La production en série du TK17A80W va commencer au 4ème trimestre 2014, en boîtier 100% isolé TO-220SIS. Des échantillons sont disponibles dès maintenant. D’autres versions plus performantes, et des boîtiers TO-220, DPAK et IPAK suivront.

http://www.toshiba-components.com